DH640 DONGHAI
Symbol Micros:
TIRF640 DH
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 150 mOhm; 18A; 104 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF640PBF; IRF640NPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 150mOhm |
| Max. Drainstrom: | 18A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 104W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Donghai |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 150mOhm |
| Max. Drainstrom: | 18A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 104W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Donghai |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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