IRFB4110PBF JSMICRO

Symbol Micros: TIRFB4110 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 25V; 5mOhm; 180A; 240W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRFB4110PBF; IRFB4110GPBF; SP001570598; SP001556050;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5mOhm
Max. Drainstrom: 180A
Maximaler Leistungsverlust: 240W
Gehäuse: TO220
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: JSMSEMI Hersteller-Teilenummer: IRFB4110PBF RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,1950 0,9120 0,7553 0,6618 0,6290
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 5mOhm
Max. Drainstrom: 180A
Maximaler Leistungsverlust: 240W
Gehäuse: TO220
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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