IRFB4110 UMW

Symbol Micros: TIRFB4110 UMW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB4110PBF; IRFB4110GPBF; SP001570598; SP001556050;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,5mOhm
Max. Drainstrom: 180A
Maximaler Leistungsverlust: 370W
Gehäuse: TO220
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: IRFB4110 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
94 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,3283 0,9308 0,7437 0,7226 0,6993
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 4,5mOhm
Max. Drainstrom: 180A
Maximaler Leistungsverlust: 370W
Gehäuse: TO220
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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