IRLML2502TRPBF LGE

Symbol Micros: TIRLML2502 LGE
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Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 40mOhm; 6A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML2502TRPBF; SP001558336; C-CDM2502;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: LGE
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: IRLML2502 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2253 0,1071 0,0603 0,0457 0,0410
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: LGE
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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