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IRLR024NPBF HXY MOSFET

Name: TIRLR024n HXY TIRLR024n HXY
Brand: HXY MOSFET
SKU: TIRLR024nHXY
Price: 0.1623 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRLR024n HXY

Gehäuse: TO252 (DPACK)

Datenblatt

Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 40mOhm; 20A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLR024PBF; IRLR024TRPBF; IRLR024TRLPBF; IRLR024NPBF; IRLR024NTRLPBF; IRLR024NTRPBF; IRLR024NTRRPBF; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	40mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	34,7W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: IRLR024NPBF-HXY RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

200 stk.

Anzahl Stück	3+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4211	0,2776	0,1981	0,1731	0,1623

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	40mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	34,7W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	2+	5+	20+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,4658	0,3364	0,2423	0,1995	0,1859

Anzahl Stück	2+	10+	40+	100+	495+
Nettopreis (EUR)	0,4658	0,2800	0,2195	0,2007	0,1859

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,4658	0,2800	0,2138	0,1924	0,1859

IRLR024NPBF HXY MOSFET

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