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IRLR024NTRPBF JSMICRO

Symbol Micros: TIRLR024n JSM

Gehäuse: TO252 (DPAK)

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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 45mOhm; 20A; 31W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLR024PBF; IRLR024TRPBF; IRLR024TRLPBF; IRLR024NPBF; IRLR024NTRLPBF; IRLR024NTRPBF; IRLR024NTRRPBF; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	45mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	31W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: IRLR024NTRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPAK) Datenblatt

Auf Lager:

1000 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,3313	0,1826	0,1434	0,1330	0,1274

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	45mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	31W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4657	0,2803	0,2164	0,1953	0,1858

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4657	0,2803	0,2164	0,1953	0,1858

Anzahl Stück	2+	5+	20+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,4587	0,3313	0,2386	0,1965	0,1828

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	391+
Nettopreis (EUR)	0,4587	0,2734	0,2233	0,1965	0,1830

Anzahl Stück	2+	10+	30+	109+	436+
Nettopreis (EUR)	0,4587	0,2734	0,2233	0,1953	0,1823

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2433	0,1337	0,0885	0,0737	0,0693

IRLR024NTRPBF JSMICRO

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