IRLR024NTRPBF JSMICRO

Symbol Micros: TIRLR024n JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 45mOhm; 20A; 31W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLR024PBF; IRLR024TRPBF; IRLR024TRLPBF; IRLR024NPBF; IRLR024NTRLPBF; IRLR024NTRPBF; IRLR024NTRRPBF; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 45mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 31W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 45mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 31W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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