IRLR3410

Symbol Micros: TIRLR3410
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 16V; 155 mOhm; 17A; 79W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 155mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 79W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLR3410 RoHS IRLR3410TRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPAK) Datenblatt
Auf Lager:
1 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 300+ 1200+
Nettopreis (EUR) 0,5249 0,3178 0,2448 0,2163 0,2088
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Standard-Verpackung:
300
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLR3410TRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
1500 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5249 0,3178 0,2448 0,2201 0,2095
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Standard-Verpackung:
2000
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLR3410TRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
313 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 600+
Nettopreis (EUR) 0,5249 0,3178 0,2448 0,2201 0,2119
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Standard-Verpackung:
600
Widerstand im offenen Kanal: 155mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 79W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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