MJE350G JSMICRO

Symbol Micros: TMJE350 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO126
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PNP-Transistor; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Äquivalent: MJE350; MJE350STU; KSE350; KSE350STU;
Parameter
Verlustleistung: 20W
Hersteller: JSMICRO
Stromverstärkungsfaktor: 240
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 300V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MJE350G RoHS Gehäuse: TO126 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4179 0,2747 0,1965 0,1718 0,1610
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Standard-Verpackung:
200
Verlustleistung: 20W
Hersteller: JSMICRO
Stromverstärkungsfaktor: 240
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 300V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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