RC30N06 TO-252 RealChip

Symbol Micros: TRC30N06 REA
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 30A; 50W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRLR024NTRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 33mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO252
Hersteller: RealChip
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: REALCHIP Hersteller-Teilenummer: RC30N06 RoHS Gehäuse: TO252t/r Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2433 0,1337 0,0885 0,0737 0,0693
Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 33mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO252
Hersteller: RealChip
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD