Transistoren (Ergebnisse: 9573)
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Widerstand im offenen Kanal
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Max. Drainstrom
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Maximaler Leistungsverlust
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Gehäuse
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Hersteller
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Verlustleistung
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Stromverstärkungsfaktor
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Grenzfrequenz
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Gate-Ladung
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Max. Drain-Source Spannung
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Maximale Verlustleistung
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Max. Kollektor-Strom [A]
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Max. Kollektor-Emitter-Spannung
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Max. Kollektor-Strom
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Max. Kollektor-Strom im Impuls
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Vorwärtsspannung [Vgeth]
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Transistor-Typ
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Max. Gate-Source Spannung
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Montage
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Kollektor-Emitter-Spannung
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Gate - Emitter Spannung
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Transistorsysteme [J/N]
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BGH75N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR
Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 650V; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 75A; Kollektorstrom im Impuls: 300A; Leistung: 405W
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Rys.TBGH75N65HF1
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TO247-4 | BASiC SEMICONDUCTOR | 444nC | 405W | 75A | 300A | 4,2V ~ 5,8V | -40°C ~ 150°C | THT | 650V | 20V | |||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BGH75N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR
IGBT-Transistor; THT; TO247-3; Technologie: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 650V; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 75A; Kollektorstrom im Impuls: 300A; Leistung: 405W
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Rys.TBGH75N65HS1
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TO247-3 | BASiC SEMICONDUCTOR | 444nC | 405W | 75A | 300A | 4,2V ~ 5,8V | -40°C ~ 150°C | THT | 650V | 20V | |||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BC857B BORN
PNP-Transistor; 475; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC857B,215; BC857B,235; BC857BLT1G; BC857BLT3G; BC857BE6327HTSA1; BC857BE6433HTMA1; BC857B RFG; BC857B-7-F; BC857B-TP;
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SOT23
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SOT23 | BORN | 250mW | 475 | 100MHz | 100mA | 45V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-07-15
Anzahl der Stücke: 3000
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