Transistoren (Ergebnisse: 9570)

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YJL03N06A-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Elec Tech N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L Entspricht 03N06 (Goford), RHK003N06FRAT146 (Rohm)
Micros Symbol: TYJL03N06A-F2-0000HF Infos
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YJL03N06A-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Elec Tech SOT23-3
  120mOhm 3A 1,2W SOT23-3 YY 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
ZXM61N02FTA SOT-23-3 MOSFETs ROHS ZXM61N02FTA-VB;
Micros Symbol: TZXM61N02FTA VBS Infos
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ZXM61N02FTA SOT23
                                                   
Artikel auf Anfrage erhältlich
39mOhm 6A 2,1W SOT23 VBsemi 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
                                                     
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Geplantes Datum: 2025-09-30
Anzahl der Stücke: 5
                                               
TIP35C Transistor NPN; 50; 125W; 100V; 25A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 50; 125W; 100V; 25A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
Micros Symbol: TTIP35C SPT Infos Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
TIP35C TO247
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
TIP36C Transistor PNP; 50; 125W; 100V; 25A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor PNP; 50; 125W; 100V; 25A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
Micros Symbol: TTIP36C SPT Infos Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
TIP36C TO247
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
TIP41C TO220 KEXIN Tranzystor NPN; 75; 65W; 100V; 6A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SD843; 2SD569; 2SD568; 2SC2334; 2SD613; TIP41C-LGE;
Micros Symbol: TTIP41c KEX Infos Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
TIP41C TO220 KEXIN TO220
                                                   
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Geplantes Datum: 2025-09-30
Anzahl der Stücke: 200
                                               
TIP42CF TO-220F JSCJ Transistor PNP; Bipolar; 75; 65W; 100V; 6A; 3MHz; -55°C ~ 150°C;
Micros Symbol: TTIP42c TO220F Infos
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TIP42CF TO-220F JSCJ TO220FP
                                                   
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TO220FP CJ 65W 75 3MHz 6A 100V PNP -55°C ~ 150°C
                                                     
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Geplantes Datum: 2025-08-15
Anzahl der Stücke: 100
                                               
CJ3400S3 30V 6.5A 30m@10V,3.2A 1.7W 1.1V@250uA 17pF@15V N Channel 335pF@15V 2.1nC@4.5V -55~+150@(Tj) SOT-23-3 MOSFETs ROHS Podobny do: RTR040N03TL;
Micros Symbol: TCJ3400S3 TEC Infos
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CJ3400S3 SOT23
  59mOhm 5,8A 1,4W SOT23 TECH PUBLIC 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
 
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IPG20N06S2L35ATMA1 Trans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP
Micros Symbol: TIPG20n06s2l35 Infos
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IPG20N06S2L35ATMA1 TDSON-8
  44mOhm 20A 65W TDSON-8 INFINEON 55V 2xN-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
 
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TTA006B,Q(S TOSHIBA Power Transistor PNP 230V 1A 70MHz 3-Pin TO-126N Power Transistor PNP 230V 1A 70MHz 3-Pin TO-126N
Micros Symbol: TTTA006B Infos Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
TTA006B,Q(S TOSHIBA TO126
 
 
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YFW10N65AF TO-220F YFW ODPOWIEDNIK: BXP10N65CF;
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YFW10N65AF TO-220F YFW TO220F
 
 
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YFW13N50AF TO220F YFW Odpowiednik: BXP18N50F; LGE18N50F; YFW13N50AF;
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YFW13N50AF TO220F YFW TO220F
 
 
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YFW18N20AC TO-220C YFW
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YFW18N20AC TO-220C YFW TO220
 
 
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TO220F
 
 
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YFW2N65AD TO252 YFW Odpowiednik: BXP2N65D; LGE2N65D; YFW2N65AD;
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YFW2N65AD TO252 YFW TO252
 
 
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YFW2N65AMJ TO251 YFW Odpowiednik: BXP2N65U; LGE2N65U; YFW2N65AMJ;
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YFW2N65AMJ TO251 YFW TO251 (IPACK)
 
 
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YFW4N65AD TO252 YFW High Voltage MOSFET LGE4N65D; YFW4N65AD; BXP4N65D;
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YFW4N65AD TO252 YFW TO252
 
 
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YFW4N65AF TO220F YFW High Voltage MOSFET YFW4N65AF; LGE4N65F; BXP4N65F;
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YFW4N65AF TO220F YFW TO220F
 
 
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YFW4N65AMJ TO-251S(3.5mm) YFW Trans 650V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET; 4A; 650V; <2.8Ohm ODPOWIEDNIK: BXP4N65U;
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YFW4N65AMJ TO-251S(3.5mm) YFW TO251S (IPAK)
 
 
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YFW7N65AF TO-220F YFW TO-220F MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: BXP7N65CF;
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YFW7N65AF TO-220F YFW TO220F
 
 
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YFW7N65AT TO-220AB YFW TO-220AB MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: BXP7N65P;
Micros Symbol: TYFW7N65AT YFW Infos Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
YFW7N65AT TO-220AB YFW TO220
 
 
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ZTX458 NPN 0.3A 400V 1W 50MHz NPN 0.3A 400V 1W 50MHz
Micros Symbol: TZTX458 Infos Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
ZTX458 TO92
  50MHz NPN
 
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ZXTN25020DFH Diodes NPN 20V 4.5A 1.25W NPN 20V 4.5A 1.25W
Micros Symbol: TZXTN25020dfh Infos
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ZXTN25020DFH Diodes SOT23-3
 
 
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BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR IGBT-Transistor; THT; TO247-4; Technologie: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 650V; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 75A; Kollektorstrom im Impuls: 300A; Leistung: 338W
Micros Symbol: TBGH75N65ZF1 Infos
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BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH75N65ZF1
  TO247-4 BASiC SEMICONDUCTOR 444nC 338W 75A 300A 4,2V ~ 5,8V -40°C ~ 150°C THT 650V 20V
 
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BGH75N120HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 1,2 kV; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 75A; Kollektorstrom im Impuls: 200A; Leistung: 568W
Micros Symbol: TBGH75N120HF1 Infos
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BGH75N120HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH75N120HF1
  TO247-3 BASiC SEMICONDUCTOR 398nC 568W 75A 200A 4,2V ~ 5,8V -40°C ~ 150°C THT 1200V 20V
 
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BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-4; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 650V; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 50A; Kollektorstrom im Impuls: 200A; Leistung: 297W
Micros Symbol: TBGH50N65ZF1 Infos
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BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH50N65ZF1
  TO247-4 BASiC SEMICONDUCTOR 308nC 297W 50A 200A 4,2V ~ 5,8V -40°C ~ 150°C THT 650V 20V
 
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BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 650V; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 50A; Kollektorstrom im Impuls: 200A; Leistung: 297W
Micros Symbol: TBGH50N65HS1 Infos
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BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH50N65HS1
  TO247-3 BASiC SEMICONDUCTOR 308nC 297W 50A 200A 4,2V ~ 5,8V -40°C ~ 150°C THT 650V 20V
 
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BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor-IGBT; THT; TO247-3; Technologie: Feldstopp, SiC SBD, Trench Kollektor-Emitter-Spannung: 650 V; Gate-Emitter-Spannung: 20 V; Kollektorstrom: 50 A; gepulster Kollektorstrom: 200 A; Leistung: 297 W
Micros Symbol: TBGH50N65HF1 Infos
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BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH50N65HF1
  TO247-3 BASiC SEMICONDUCTOR 308nC 297W 50A 200A 4,2V ~ 5,8V -40°C ~ 150°C THT 650V 20V
 
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BGH75N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 650V; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 75A; Kollektorstrom im Impuls: 300A; Leistung: 405W
Micros Symbol: TBGH75N65HF1 Infos
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BGH75N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH75N65HF1
  TO247-4 BASiC SEMICONDUCTOR 444nC 405W 75A 300A 4,2V ~ 5,8V -40°C ~ 150°C THT 650V 20V
 
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BGH75N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR IGBT-Transistor; THT; TO247-3; Technologie: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 650V; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 75A; Kollektorstrom im Impuls: 300A; Leistung: 405W
Micros Symbol: TBGH75N65HS1 Infos
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BGH75N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH75N65HS1
  TO247-3 BASiC SEMICONDUCTOR 444nC 405W 75A 300A 4,2V ~ 5,8V -40°C ~ 150°C THT 650V 20V
 
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BC857B BORN PNP-Transistor; 475; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC857B,215; BC857B,235; BC857BLT1G; BC857BLT3G; BC857BE6327HTSA1; BC857BE6433HTMA1; BC857B RFG; BC857B-7-F; BC857B-TP;
Micros Symbol: TBC857b BORN Infos Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BC857B BORN SOT23
                                                   
Artikel auf Anfrage erhältlich
SOT23 BORN 250mW 475 100MHz 100mA 45V PNP -55°C ~ 150°C
                                                     
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Geplantes Datum: 2025-07-15
Anzahl der Stücke: 3000
                                               
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