Transistoren (Ergebnisse: 9570)
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Widerstand im offenen Kanal
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Max. Drainstrom
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Maximaler Leistungsverlust
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Gehäuse
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Hersteller
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Verlustleistung
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Stromverstärkungsfaktor
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Grenzfrequenz
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Gate-Ladung
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Max. Drain-Source Spannung
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Max. Kollektor-Strom [A]
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Max. Kollektor-Emitter-Spannung
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Max. Kollektor-Strom
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Max. Kollektor-Strom im Impuls
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Vorwärtsspannung [Vgeth]
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Max. Gate-Source Spannung
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Kollektor-Emitter-Spannung
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Gate - Emitter Spannung
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Transistorsysteme [J/N]
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YJL03N06A-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Elec Tech
N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L Entspricht 03N06 (Goford), RHK003N06FRAT146 (Rohm)
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120mOhm | 3A | 1,2W | SOT23-3 | YY | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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ZXM61N02FTA
SOT-23-3 MOSFETs ROHS ZXM61N02FTA-VB;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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39mOhm | 6A | 2,1W | SOT23 | VBsemi | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | |||||||||||||||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-09-30
Anzahl der Stücke: 5
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TIP35C
Transistor NPN; 50; 125W; 100V; 25A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 50; 125W; 100V; 25A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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TIP36C
Transistor PNP; 50; 125W; 100V; 25A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor PNP; 50; 125W; 100V; 25A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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TIP41C TO220 KEXIN
Tranzystor NPN; 75; 65W; 100V; 6A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SD843; 2SD569; 2SD568; 2SC2334; 2SD613; TIP41C-LGE;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-09-30
Anzahl der Stücke: 200
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TIP42CF TO-220F JSCJ
Transistor PNP; Bipolar; 75; 65W; 100V; 6A; 3MHz; -55°C ~ 150°C;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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TO220FP | CJ | 65W | 75 | 3MHz | 6A | 100V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-08-15
Anzahl der Stücke: 100
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CJ3400S3
30V 6.5A 30m@10V,3.2A 1.7W 1.1V@250uA 17pF@15V N Channel 335pF@15V 2.1nC@4.5V -55~+150@(Tj) SOT-23-3 MOSFETs ROHS Podobny do: RTR040N03TL;
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59mOhm | 5,8A | 1,4W | SOT23 | TECH PUBLIC | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | |||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPG20N06S2L35ATMA1
Trans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP
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44mOhm | 20A | 65W | TDSON-8 | INFINEON | 55V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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TTA006B,Q(S TOSHIBA
Power Transistor PNP 230V 1A 70MHz 3-Pin TO-126N Power Transistor PNP 230V 1A 70MHz 3-Pin TO-126N
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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YFW10N65AF TO-220F YFW
ODPOWIEDNIK: BXP10N65CF;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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YFW13N50AF TO220F YFW
Odpowiednik: BXP18N50F; LGE18N50F; YFW13N50AF;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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YFW2N65AD TO252 YFW
Odpowiednik: BXP2N65D; LGE2N65D; YFW2N65AD;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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YFW2N65AMJ TO251 YFW
Odpowiednik: BXP2N65U; LGE2N65U; YFW2N65AMJ;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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YFW4N65AD TO252 YFW
High Voltage MOSFET LGE4N65D; YFW4N65AD; BXP4N65D;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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YFW4N65AF TO220F YFW
High Voltage MOSFET YFW4N65AF; LGE4N65F; BXP4N65F;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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YFW4N65AMJ TO-251S(3.5mm) YFW
Trans 650V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET; 4A; 650V; <2.8Ohm ODPOWIEDNIK: BXP4N65U;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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YFW7N65AF TO-220F YFW
TO-220F MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: BXP7N65CF;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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YFW7N65AT TO-220AB YFW
TO-220AB MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: BXP7N65P;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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ZTX458
NPN 0.3A 400V 1W 50MHz NPN 0.3A 400V 1W 50MHz
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50MHz | NPN | |||||||||||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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ZXTN25020DFH Diodes
NPN 20V 4.5A 1.25W NPN 20V 4.5A 1.25W
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR
IGBT-Transistor; THT; TO247-4; Technologie: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 650V; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 75A; Kollektorstrom im Impuls: 300A; Leistung: 338W
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TO247-4 | BASiC SEMICONDUCTOR | 444nC | 338W | 75A | 300A | 4,2V ~ 5,8V | -40°C ~ 150°C | THT | 650V | 20V | ||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BGH75N120HF1 BASiC SEMICONDUCTOR
Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 1,2 kV; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 75A; Kollektorstrom im Impuls: 200A; Leistung: 568W
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TO247-3 | BASiC SEMICONDUCTOR | 398nC | 568W | 75A | 200A | 4,2V ~ 5,8V | -40°C ~ 150°C | THT | 1200V | 20V | ||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR
Transistor IGBT; THT; TO247-4; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 650V; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 50A; Kollektorstrom im Impuls: 200A; Leistung: 297W
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TO247-4 | BASiC SEMICONDUCTOR | 308nC | 297W | 50A | 200A | 4,2V ~ 5,8V | -40°C ~ 150°C | THT | 650V | 20V | ||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR
Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 650V; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 50A; Kollektorstrom im Impuls: 200A; Leistung: 297W
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TO247-3 | BASiC SEMICONDUCTOR | 308nC | 297W | 50A | 200A | 4,2V ~ 5,8V | -40°C ~ 150°C | THT | 650V | 20V | ||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR
Transistor-IGBT; THT; TO247-3; Technologie: Feldstopp, SiC SBD, Trench Kollektor-Emitter-Spannung: 650 V; Gate-Emitter-Spannung: 20 V; Kollektorstrom: 50 A; gepulster Kollektorstrom: 200 A; Leistung: 297 W
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TO247-3 | BASiC SEMICONDUCTOR | 308nC | 297W | 50A | 200A | 4,2V ~ 5,8V | -40°C ~ 150°C | THT | 650V | 20V | ||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BGH75N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR
Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 650V; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 75A; Kollektorstrom im Impuls: 300A; Leistung: 405W
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TO247-4 | BASiC SEMICONDUCTOR | 444nC | 405W | 75A | 300A | 4,2V ~ 5,8V | -40°C ~ 150°C | THT | 650V | 20V | ||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BGH75N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR
IGBT-Transistor; THT; TO247-3; Technologie: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 650V; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 75A; Kollektorstrom im Impuls: 300A; Leistung: 405W
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TO247-3 | BASiC SEMICONDUCTOR | 444nC | 405W | 75A | 300A | 4,2V ~ 5,8V | -40°C ~ 150°C | THT | 650V | 20V | ||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BC857B BORN
PNP-Transistor; 475; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC857B,215; BC857B,235; BC857BLT1G; BC857BLT3G; BC857BE6327HTSA1; BC857BE6433HTMA1; BC857B RFG; BC857B-7-F; BC857B-TP;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SOT23 | BORN | 250mW | 475 | 100MHz | 100mA | 45V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-07-15
Anzahl der Stücke: 3000
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