Bipolare Transistoren (Ergebnisse: 2701)

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D44H8G Transistor GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Transistor GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
D44H8G TO220
  NPN 60 2W 60V 10A 50MHz TO220 ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
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D45H11FP STMicroelectronics Transistor GP BJT PNP 80V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube Transistor GP BJT PNP 80V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
D45H11FP  STMicroelectronics TO220FP
 
 
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DDTC113ZUA-7-F Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
DDTC113ZUA-7-F  
 
 
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DMN3023L-7 Transistor MOSFET N-CH 30V 6.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Transistor MOSFET N-CH 30V 6.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
DMN3023L-7 SOT23
 
 
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DXTN07100BP5-13 Transistor GP BJT NPN 100V 2A 3200mW Automotive 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R Transistor GP BJT NPN 100V 2A 3200mW Automotive 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
DXTN07100BP5-13 PowerDI3333-8
 
 
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EMH3FHAT2R Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 1 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 1
EMH3FHAT2R SOT563
 
 
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FMMT458 SHIKUES NPN-Transistor; 300; 500mW; 400V; 225mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: FMMT458TA; FMMT458TC;
FMMT458 SHIKUES SOT23
  NPN 300 500mW 400V 225mA 50MHz SOT23 SHIKUES -55°C ~ 150°C
 
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FMMT491 China NPN 1000mA 60V 500mW 150MHz NPN 1000mA 60V 500mW 150MHz
FMMT491 China SOT23
 
 
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FZT649 NPN 3A 25V 2W 240MHz NPN 3A 25V 2W 240MHz
FZT649 SOT223
  NPN 300 3W 25V 3A 240MHz SOT223 DIODES -55°C ~ 150°C
 
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FZT788B PNP 3A 15V 2W PNP 3A 15V 2W
FZT788B SOT223
  PNP 1500 2W 15V 3A 100MHz SOT223 DIODES -55°C ~ 150°C
 
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KSA1220A PNP,200mA,160V,1.2W, 175MHz PNP,200mA,160V,1.2W, 175MHz
KSA1220A TO126
  PNP 320 1,2W 160V 1,2A 175MHz TO126 ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
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KSH122TF NPN 8A 100V 1.75W NPN 8A 100V 1.75W
KSH122TF TO252 (DPACK)
  NPN 12000 1,75W 100V 8A TO252 (DPACK) Fairchild -65°C ~ 150°C
 
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LGE18N50F LGE Odpowiednik: BXP18N50F; LGE18N50F; YFW13N50AF;
LGE18N50F LGE  
 
 
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LGE2N65D TO252 LGE Odpowiednik: BXP2N65D; LGE2N65D; YFW2N65AD;
LGE2N65D TO252 LGE TO252
                       
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Geplantes Datum: 2025-06-20
Anzahl der Stücke: 500
                   
LND150N3-G Transistor MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Transistor MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92
LND150N3-G TO92
  N-MOSFET 740mW 500V 30mA TO92 Supertex -55°C ~ 150°C
 
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LP395Z NPN 36V 100mA NPN 36V 100mA
LP395Z TO92
  NPN 36V 100mA TO92 Texas Instruments -40°C ~ 125°C
 
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LPSC2301 20V 2A 110mOhm@4.5V,2A 780mW P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS BSS83P;
LPSC2301 SOT23
 
 
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M8050 SOT23 0.2W 800mA NPN Bipolar Transistor 0.2W 800mA NPN Bipolar Transistor
M8050 SOT23 SOT23
 
 
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MBT3904DW1T1G 40V 200mW 300@10mA,1V 200mA 2 NPN SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS 40V 200mW 300@10mA,1V 200mA 2 NPN SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS
MBT3904DW1T1G SOT363
                       
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Geplantes Datum: 2025-05-20
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MJD127 Transistor: PNP; Bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252 Transistor: PNP; Bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
MJD127 TO252 (DPACK)
 
 
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MJD31C CDIL Darl. NPN 3A 100V 1.56W Darl. NPN 3A 100V 1.56W
MJD31C CDIL TO252
  NPN 50 1,25W 100V 3A 3MHz TO252 LGE -65°C ~ 150°C
 
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MJD32CAJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK
MJD32CAJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA DPAK
  PNP 50 1,6W 100V 3A 3MHz DPAK Nexperia -55°C ~ 150°C
 
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MJD45H11-1G Transistor GP BJT PNP 80V 16A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Transistor GP BJT PNP 80V 16A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK
MJD45H11-1G IPAK
 
 
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MJD5731T4G ONSEMI Transistor GP BJT PNP 350V 1A Transistor GP BJT PNP 350V 1A
MJD5731T4G ONSEMI TO252 (DPACK)
 
 
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MJD6039T4G Transistor Darlington NPN 80V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Transistor Darlington NPN 80V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
MJD6039T4G TO252 (DPACK)
 
 
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MJE13005 Transistor; bipolar; MJE13005; NPN; 4A; 400V; 60W; 4 MHz; TO220; ST13005; MJE13005; 3DD13005ED-220C; YFW13005AT; MJE13005L-B-TA3-T; 3DD13005ND66; 3DD13005MD-220; MJE13005; MBR13005DA; ST13005;
MJE13005 TO220
 
 
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YFW13005AT Transistor NPN; Bipolar; 700V; 9V; 35; 4MHz; 4A; 2W; -55°C~150°C; Transistor NPN; Bipolar; 700V; 9V; 35; 4MHz; 4A; 2W; -55°C~150°C;
YFW13005AT TO220
  NPN 35 2W 700V 4A 4MHz TO220 YFW -55°C ~ 150°C
 
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MJE15030G ON Semiconductor NPN 150V 8A 50W 30MHz NPN 150V 8A 50W 30MHz
MJE15030G ON Semiconductor TO220AB
  NPN 40 2W 150V 8A 30MHz TO220AB ON SEMICONDUCTOR -65°C ~ 150°C
 
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MJE340G JSMICRO NPN-Transistor; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Äquivalent: MJE340; MJE340STU; KSE340; KSE340STU;
MJE340G JSMICRO TO126
  NPN 240 20W 300V 500mA TO126 JSMICRO -65°C ~ 150°C
 
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Bipolare Transistoren

Die in der Mitte des 20. Jahrhunderts erfundenen Transistoren haben eine entscheidende Rolle bei der Gestaltung der modernen Elektronik gespielt. Dank ihnen ist die Nutzung miniaturisierter Verbrauchertechnologiegeräte heute möglich. Aus diesem Grund gelten bipolare Transistoren als eine der am weitesten verbreiteten Komponenten, ohne die es unmöglich wäre, moderne integrierte Schaltkreise zu entwerfen.

Bipolarer Transistor – Symbol

Bipolare Transistoren sind elektronische Halbleiterbauelemente, die zur Steuerung des Stromflusses und zur Verstärkung von Signalen verwendet werden. Sie bestehen aus drei Schichten, die aus dem Emitter, der Basis und dem Kollektor bestehen, die durch eine Siliziumscheibe verbunden sind. Je nach Leitfähigkeitstyp unterscheidet man zwischen pnp- und npn-Transistoren. Sie funktionieren ähnlich, wobei die Unterschiede in der Steuerungsrichtung und der Polarisation in Bezug auf den Emitter liegen. Bei einem bipolaren Transistor zeigt das Symbol mit der angegebenen Pfeilrichtung, um welche Art von Bauelement es sich handelt.

Funktionsweise Bipolarer Transistoren

Bipolare Transistoren werden in elektronischen Geräten eingesetzt, um die Intensität des elektrischen Signalflusses zu steuern. Sie finden Anwendung in verschiedenen elektronischen Schaltungen wie z.B. Verstärkern, Signalmodulatoren, Stabilisatoren und Impulsgeneratoren. Die Funktionsweise eines bipolaren Transistors besteht darin, einen Strom mit niedriger Intensität sicher in elektrische Signale mit höherer Leistung umzuwandeln, um eine Überlastung des gesamten Schaltkreises zu vermeiden.

Katalog Bipolarer Transistoren

In unserem Sortiment finden Sie bipolare Transistoren von führenden Herstellern. Wir bieten nur Produkte von höchster Qualität an, die sich durch Zuverlässigkeit und Langlebigkeit auszeichnen. Unser Katalog der bipolaren Transistoren umfasst Komponenten, die sich in folgenden Punkten unterscheiden:

  • Stromverstärkungsfaktor,
  • Verlustleistung,
  • maximale Kollektor-Emitter-Spannung,
  • maximaler Kollektorstrom,
  • Gehäusetyp,
  • Betriebstemperaturbereich.

Durch die Berücksichtigung dieser spezifischen Parameter können Sie einen bipolaren Transistor genau für Ihre spezifische Anwendung auswählen.

Wir laden Sie zur Zusammenarbeit ein!