Bipolare Transistoren (Ergebnisse: 2701)
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Stromverstärkungsfaktor
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Verlustleistung
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Max. Kollektor-Emitter-Spannung
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Max. Kollektor-Strom [A]
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Grenzfrequenz
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Hersteller
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Transistorsysteme [J/N]
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Betriebstemperatur (Bereich)
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D44H8G
Transistor GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Transistor GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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NPN | 60 | 2W | 60V | 10A | 50MHz | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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D45H11FP STMicroelectronics
Transistor GP BJT PNP 80V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube Transistor GP BJT PNP 80V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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DDTC113ZUA-7-F
Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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DMN3023L-7
Transistor MOSFET N-CH 30V 6.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Transistor MOSFET N-CH 30V 6.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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DXTN07100BP5-13
Transistor GP BJT NPN 100V 2A 3200mW Automotive 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R Transistor GP BJT NPN 100V 2A 3200mW Automotive 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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EMH3FHAT2R
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 1 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 1
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FMMT458 SHIKUES
NPN-Transistor; 300; 500mW; 400V; 225mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: FMMT458TA; FMMT458TC;
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NPN | 300 | 500mW | 400V | 225mA | 50MHz | SOT23 | SHIKUES | -55°C ~ 150°C | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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FMMT491 China
NPN 1000mA 60V 500mW 150MHz NPN 1000mA 60V 500mW 150MHz
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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FZT649
NPN 3A 25V 2W 240MHz NPN 3A 25V 2W 240MHz
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NPN | 300 | 3W | 25V | 3A | 240MHz | SOT223 | DIODES | -55°C ~ 150°C | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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FZT788B
PNP 3A 15V 2W PNP 3A 15V 2W
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PNP | 1500 | 2W | 15V | 3A | 100MHz | SOT223 | DIODES | -55°C ~ 150°C | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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KSA1220A
PNP,200mA,160V,1.2W, 175MHz PNP,200mA,160V,1.2W, 175MHz
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PNP | 320 | 1,2W | 160V | 1,2A | 175MHz | TO126 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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KSH122TF
NPN 8A 100V 1.75W NPN 8A 100V 1.75W
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NPN | 12000 | 1,75W | 100V | 8A | TO252 (DPACK) | Fairchild | -65°C ~ 150°C | |||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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LGE18N50F LGE
Odpowiednik: BXP18N50F; LGE18N50F; YFW13N50AF;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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LGE2N65D TO252 LGE
Odpowiednik: BXP2N65D; LGE2N65D; YFW2N65AD;
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-06-20
Anzahl der Stücke: 500
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LND150N3-G
Transistor MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Transistor MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92
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N-MOSFET | 740mW | 500V | 30mA | TO92 | Supertex | -55°C ~ 150°C | ||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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LP395Z
NPN 36V 100mA NPN 36V 100mA
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NPN | 36V | 100mA | TO92 | Texas Instruments | -40°C ~ 125°C | |||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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LPSC2301
20V 2A 110mOhm@4.5V,2A 780mW P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS BSS83P;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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M8050 SOT23
0.2W 800mA NPN Bipolar Transistor 0.2W 800mA NPN Bipolar Transistor
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MBT3904DW1T1G
40V 200mW 300@10mA,1V 200mA 2 NPN SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS 40V 200mW 300@10mA,1V 200mA 2 NPN SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-05-20
Anzahl der Stücke: 3000
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MJD127
Transistor: PNP; Bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252 Transistor: PNP; Bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
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MJD31C CDIL
Darl. NPN 3A 100V 1.56W Darl. NPN 3A 100V 1.56W
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NPN | 50 | 1,25W | 100V | 3A | 3MHz | TO252 | LGE | -65°C ~ 150°C | ||||
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MJD32CAJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK
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PNP | 50 | 1,6W | 100V | 3A | 3MHz | DPAK | Nexperia | -55°C ~ 150°C | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MJD45H11-1G
Transistor GP BJT PNP 80V 16A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Transistor GP BJT PNP 80V 16A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MJD5731T4G ONSEMI
Transistor GP BJT PNP 350V 1A Transistor GP BJT PNP 350V 1A
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MJD6039T4G
Transistor Darlington NPN 80V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Transistor Darlington NPN 80V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MJE13005
Transistor; bipolar; MJE13005; NPN; 4A; 400V; 60W; 4 MHz; TO220; ST13005; MJE13005; 3DD13005ED-220C; YFW13005AT; MJE13005L-B-TA3-T; 3DD13005ND66; 3DD13005MD-220; MJE13005; MBR13005DA; ST13005;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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YFW13005AT
Transistor NPN; Bipolar; 700V; 9V; 35; 4MHz; 4A; 2W; -55°C~150°C; Transistor NPN; Bipolar; 700V; 9V; 35; 4MHz; 4A; 2W; -55°C~150°C;
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NPN | 35 | 2W | 700V | 4A | 4MHz | TO220 | YFW | -55°C ~ 150°C | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MJE15030G ON Semiconductor
NPN 150V 8A 50W 30MHz NPN 150V 8A 50W 30MHz
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NPN | 40 | 2W | 150V | 8A | 30MHz | TO220AB | ON SEMICONDUCTOR | -65°C ~ 150°C | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MJE340G JSMICRO
NPN-Transistor; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Äquivalent: MJE340; MJE340STU; KSE340; KSE340STU;
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NPN | 240 | 20W | 300V | 500mA | TO126 | JSMICRO | -65°C ~ 150°C | |||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Bipolare Transistoren
Die in der Mitte des 20. Jahrhunderts erfundenen Transistoren haben eine entscheidende Rolle bei der Gestaltung der modernen Elektronik gespielt. Dank ihnen ist die Nutzung miniaturisierter Verbrauchertechnologiegeräte heute möglich. Aus diesem Grund gelten bipolare Transistoren als eine der am weitesten verbreiteten Komponenten, ohne die es unmöglich wäre, moderne integrierte Schaltkreise zu entwerfen.
Bipolarer Transistor – Symbol
Bipolare Transistoren sind elektronische Halbleiterbauelemente, die zur Steuerung des Stromflusses und zur Verstärkung von Signalen verwendet werden. Sie bestehen aus drei Schichten, die aus dem Emitter, der Basis und dem Kollektor bestehen, die durch eine Siliziumscheibe verbunden sind. Je nach Leitfähigkeitstyp unterscheidet man zwischen pnp- und npn-Transistoren. Sie funktionieren ähnlich, wobei die Unterschiede in der Steuerungsrichtung und der Polarisation in Bezug auf den Emitter liegen. Bei einem bipolaren Transistor zeigt das Symbol mit der angegebenen Pfeilrichtung, um welche Art von Bauelement es sich handelt.
Funktionsweise Bipolarer Transistoren
Bipolare Transistoren werden in elektronischen Geräten eingesetzt, um die Intensität des elektrischen Signalflusses zu steuern. Sie finden Anwendung in verschiedenen elektronischen Schaltungen wie z.B. Verstärkern, Signalmodulatoren, Stabilisatoren und Impulsgeneratoren. Die Funktionsweise eines bipolaren Transistors besteht darin, einen Strom mit niedriger Intensität sicher in elektrische Signale mit höherer Leistung umzuwandeln, um eine Überlastung des gesamten Schaltkreises zu vermeiden.
Katalog Bipolarer Transistoren
In unserem Sortiment finden Sie bipolare Transistoren von führenden Herstellern. Wir bieten nur Produkte von höchster Qualität an, die sich durch Zuverlässigkeit und Langlebigkeit auszeichnen. Unser Katalog der bipolaren Transistoren umfasst Komponenten, die sich in folgenden Punkten unterscheiden:
- Stromverstärkungsfaktor,
- Verlustleistung,
- maximale Kollektor-Emitter-Spannung,
- maximaler Kollektorstrom,
- Gehäusetyp,
- Betriebstemperaturbereich.
Durch die Berücksichtigung dieser spezifischen Parameter können Sie einen bipolaren Transistor genau für Ihre spezifische Anwendung auswählen.
Wir laden Sie zur Zusammenarbeit ein!