IRLR3410TR-CN CHIPNOBO

Symbol Micros: TIRLR3410 CNB
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 80mOhm; 20A; 41,7W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 80mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 41,7W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: CHIPNOBO Hersteller-Teilenummer: IRLR3410TR-CN RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Nettopreis (EUR) 0,4249 0,2801 0,2010 0,1721 0,1638
Standard-Verpackung:
300
Widerstand im offenen Kanal: 80mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 41,7W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD