Transistoren (Ergebnisse: 9573)
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Widerstand im offenen Kanal
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Max. Drainstrom
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Maximaler Leistungsverlust
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Gehäuse
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Hersteller
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Verlustleistung
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Stromverstärkungsfaktor
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Grenzfrequenz
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Gate-Ladung
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Max. Drain-Source Spannung
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Maximale Verlustleistung
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Max. Kollektor-Strom [A]
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Max. Kollektor-Emitter-Spannung
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Max. Kollektor-Strom
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Max. Kollektor-Strom im Impuls
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Vorwärtsspannung [Vgeth]
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Transistor-Typ
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Max. Gate-Source Spannung
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Montage
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Kollektor-Emitter-Spannung
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Gate - Emitter Spannung
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Transistorsysteme [J/N]
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MS12N120HGC0
MOSFET 12A,1200V,TO-247
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TO247
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1,5Ohm | 12A | 750W | TO247 | Maspower | 1200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MJD200G
Transistor GP BJT NPN 25V 10A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Transistor GP BJT NPN 25V 10A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
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TO252
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MS9N150H1
MOSFET 9A,1500V,TO-247
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TO247
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3,8Ohm | 9A | 150W | TO247 | Maspower | 1500V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MS5N170FC
MOSFET 5A,1700V,TO-247
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TO247
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9Ohm | 5A | 337W | TO247 | Maspower | 1700V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SC70-3
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MUN5133T1G ONSemiconductor
PNP 50V 100mA 202mW PNP 50V 100mA 202mW
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SC70-3
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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NSS12100UW3TCG
Transistor GP BJT PNP 12V 1A 1100mW 3-Pin WDFN Transistor GP BJT PNP 12V 1A 1100mW 3-Pin WDFN
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WDFN3(2x2)
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MS5N200HGC0
MOSFET 5A,2000V,TO-247
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TO247
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10Ohm | 5A | 625W | TO247 | Maspower | 2000V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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NSVMMUN2132LT1G
Transistor Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 Transistor Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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NSVMMUN2133LT1G
Transistor Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 Transistor Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MS1N250HGC0
MOSFET 1A,2500V,TO-247
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TO247
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50Ohm | 1A | 291W | TO247 | Maspower | 2500V | MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MS4N250HGC0
MOSFET 4A,2500V,TO-247
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TO247
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25Ohm | 4A | 520W | TO247 | Maspower | 2500V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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PMBT2907AYSX NEXPERIA
Transistor GP BJT PNP 60V 0.6A Automotive 6-Pin TSSOP Transistor GP BJT PNP 60V 0.6A Automotive 6-Pin TSSOP
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SC-88
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SBC807-25WT1G
Transistor GP BJT PNP 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R Transistor GP BJT PNP 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
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SC70-3
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRF7303 SOIC8(T/R) TECH PUBLIC
30V 7A 35mOhm@10V 1.3W 3V 2 N-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS IRF7303TRPBF;
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SOP08
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45mOhm | 7A | 2W | SOP08 | TECH PUBLIC | 30V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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YJL2302B SOT23 YANGZHOU Yangjie Elec Tech
20V 3A 80mOhm@2.5V,2A 700mW 780mV 1 N-channel SOT-23(TO-236) MOSFETs ROHS
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SOT23
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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80mOhm | 3A | 700mW | SOT23 | YY | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 10V | SMD | |||||||||||||||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-08-30
Anzahl der Stücke: 3000
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TK110E65Z Toshiba Corporation
Transistor N-Kanal MOSFET; 650V; 30V; 110mOhm; 24A; 190W; -55°C~150°C; TK110E65Z,S1X(S;
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TO220
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110mOhm | 24A | 190W | TO220 | Toshiba | 650V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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TK155E65Z Toshiba Corporation
PWR-MOSFET N-CHANNEL TK155E65Z,S1X(S
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155mOhm | 18A | 150W | TO220 | Toshiba | 650V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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TK190E65Z Toshiba Corpotation
PWR-MOSFET N-CHANNEL TK190E65Z,S1X(S
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TO220
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190mOhm | 15A | 130W | TO220 | Toshiba | 650V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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10N65
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F 10N65-LGE
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TO220iso
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRFR5305TRPBF-ES ElecSuper
60V 25A 22mΩ@10V,5A 30W 1.6V 1 P-Channel TO-252 MOSFETs ROHS
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TO252
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35mOhm | 25A | 30W | TO252 | ElecSuper | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRFR5305TR TECH PUBLIC
60V 16A 52mΩ@10V,6A 20W TO-252 MOSFETs ROHS
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TO252
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80mOhm | 16A | 20W | TO-252 | TECH PUBLIC | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRFR5305TRPBF(XBLW) XBLW
60V 20A 100mΩ@4.5V,10A 40W 1.8V 1 P-Channel TO-252-2L MOSFETs ROHS
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TO252
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100mOhm | 20A | 40W | TO-252-2L | XBLW | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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DMHT6016LFJ-13
Trans MOSFET N-CH 60V 10.6A 12-Pin VDFN EP T/R
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VDFN12
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30mOhm | 10,6A | 1,16W | VDFN12 | DIODES | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IKWH100N65EH
Transistor IGBT; 160; 650V; 20V; 199nC; 140A; 427W; -40°C~175°C;
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TO247
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TO247 | INFINEON | 199nC | 427W | 140A | 400A | -40°C ~ 175°C | THT | 650V | 20V | ||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SI4564DY SOIC8 VBSEMI
Transistor N/P-Kanal MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm; 7,6A; 3W; -55°C~150°C; SI4564DY-T1-GE3; SI4564DY-VB;
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SOP08
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12mOhm | 7,6A | 3W | SOP08 | VBsemi | 40V | N/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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2N7002 SOT23 ELECSUPER
N-Channel(with ESD) MOSFET 0.43A 60V 4000mΩ
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SOT23
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2026-01-31
Anzahl der Stücke: 3000
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SQJ141ELP-T1_GE3
TRANZ
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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TSM2301CX RF-VB SOT23 VBsemi Elec
20V 4A 1.6W 80m?@2.5V,2A 1.5V@0.25mA 1 P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
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SOT23
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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