Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 7032)
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Gehäuse
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Hersteller
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Max. Drainstrom
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Max. Drain-Source Spannung
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Max. Gate-Source Spannung
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Maximaler Leistungsverlust
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Montage
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Widerstand im offenen Kanal
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Transistor-Typ
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TK4P60DB(T6RDV,Q,S
Trans MOSFET N-CH Si 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R TK4P60DB(T6RSS-Q)
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SUM110N10-09-E3
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK PODOBNY DO TIRFS4410Z
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TK60S06K3L(T6L1,NQ
Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
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TK65E10N1,S1X(S
Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SUM80090E-GE3
Trans MOSFET N-CH 150V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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TK65S04N1L,LQ(O
Trans MOSFET N-CH Si 40V 65A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
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DPAK
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SUM90142E-GE3
Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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D2PAK
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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TK8A50D(Q)
Trans MOSFET N-CH Si 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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TK8P60W,RVQ(S
Trans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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DPAK
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DPAK | Toshiba | 8A | 600V | 30V | 80W | SMD | 560mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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STF38N65M5
Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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TO220FP
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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TPH9R00CQH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage
UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM Transistors - FETs, MOSFETs - Single
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SOP08 Advance (5x5)
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SOP08 Advance (5x5) | Toshiba | 64A | 150V | 20V | 210W | SMD | 9mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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TPHR8504PL,L1Q
Trans MOSFET N-CH Si 40V 150A 8-Pin SOP Advance TPHR8504PL,L1Q(M
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SOP08 Advance (5x5)
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SOP08 Advance (5x5) | Toshiba | 150A | 40V | 20V | 3W | SMD | 1,4mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||
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STI4N62K3
Trans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
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TO262 (I2PAK)
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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TK13P25D,RQ(S TOSHIBA
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 250V | 13A | 96W | DPAK TK13P25D TK13P25D,RQ(S
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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TPN4R712MD
Trans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R TPN4R712MD,L1Q TPN4R712MD,L1Q(M
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TPN11006NL
Trans MOSFET N-CH Si 60V 37A 8-Pin TSON EP Advance T/R TPN11006NL,LQ(S
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PowerTDFN8(5x6)
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PowerTDFN8(5x6) | Toshiba | 37A | 60V | 20V | 30W | SMD | 17mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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TPN1600ANH
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 8-Pin TSON Advance T/R TPN1600ANH,L1Q TPN1600ANH,L1Q(M
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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TPN2010FNH
Trans MOSFET N-CH Si 250V 9.9A 8-Pin TSON EP Advance T/R TPN2010FNH,L1Q(M
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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TPN22006NH
Trans MOSFET N-CH Si 60V 21A 8-Pin TSON EP Advance T/R TPN22006NH,LQ(S
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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TPN3300ANH
Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R TPN3300ANH,LQ(S
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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TPN5R203PL
TPN5R203PL,LQ(S
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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TPN7R506NH
Trans MOSFET N-CH Si 60V 53A 8-Pin TSON EP Advance T/R TPN7R506NH,L1Q(M
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SUM50020EL-GE3
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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D2PAK
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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TK2P90E,RQ(S
MOSFETs Silicon N-Channel MOS
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TSM2301ACX RFG
Transistor P-MOSFET; 20V; 12V; 190mOhm; 2,8A; 700mW; -55°C ~ 150°C; Abgekündigt; TSM650P02CX RFG; Äquivalent: TSM2301CX RF; TSM2301CX-RFG; TSM2301ACX; TSM2301BCX RFG; TSM2301ACX RFG; Ersatztyp: TSM650P02CX
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SOT23
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SOT23 | TAIW-SEMIC | 2,8A | 20V | 12V | 700mW | SMD | 190mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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TSM2301CX
P-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 190 mOhm; 2,8A; 700 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: TSM2301CX RF; TSM2301CX-RFG; TSM2301ACX; TSM2301BCX RFG; LGE2301;
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SOT23
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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RUM002N02T2L Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 0.2A VMT3 SOT-723
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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UF3C065080B3
MOSFET 650V 25A TO263 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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UF3C120040K4S
1200V 40 MOHM SIC CASCODE FAST, Transistors - FETs, MOSFETs - Single
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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UF3C120400K3S
1200V 400 MOHM SIC CASCODE FAST, Transistors - FETs, MOSFETs - Single
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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