Wichtige BJT-Transistoren in der Elektronik – Was sollte man in der Schublade haben?

2025-05-29

Überblick über gängige BJT-Transistoren

Bipolare Transistoren (BJTs – Bipolar Junction Transistors) gehören zu den grundlegenden Halbleiterbauelementen in elektronischen Schaltungen. Sie werden als Verstärker, Schalter und aktive Komponenten in komplexeren Schaltungen eingesetzt. Man unterscheidet zwei Haupttypen: NPN und PNP, die sich in Stromflussrichtung und Steuerungsart unterscheiden.

NPN- und PNP-Transistoren – Grundlegende Unterschiede

  • NPN – Der Basisstrom steuert den Stromfluss vom Kollektor zum Emitter (häufiger verwendet).
  • PNP – Funktioniert in entgegengesetzter Richtung; der Strom fließt vom Emitter zum Kollektor.

In der Praxis hängt die Wahl des Transistortyps von der Logik der Schaltung und dem Steuersignal ab.

Vergleichstabelle der Parameter

Modell Typ Gehäuse Max. Kollektor-Emitter-Spannung Max. Kollektorstrom Anwendung
MMBT3904 NPN SOT-23 40V 200mA Allgemeines Schalten
MMBT5551 NPN SOT-23 160V 600mA Höhere Spannungen
S8050 NPN SOT-23 25V 500mA Stromversorgung, Steuerung
S8550 PNP SOT-23 -25V -500mA Audio, Komplementärpaare
SS8050 NPN SOT-23 25V 1.5A SMD-Anwendungen
SS8550 PNP SOT-23 -25V 1.5A SMD-Anwendungen
S9013 NPN SOT-23 25V 500mA Relais, Lasten

Zusammenfassung – Welcher Transistor ist der richtige?

Die Auswahl des Transistors hängt ab von:

  • Montageart (SMD vs THT)
  • Erforderlicher Spannung und Strom
  • Anwendungszweck – Audio, Steuerung, Signalverstärkung usw.

Für SMD-Anwendungen eignen sich Modelle wie MMBT3904 oder MMBT5551. Bei höheren Strömen sind SS8050/SS8550 empfehlenswert. Für Prototypen oder Steckbrettschaltungen sind THT-Versionen wie S8050, S8550 und S9013 geeignet.

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SYMBOL BESCHREIBUNG

MMBT3904 

MMBT3904-1AM SOT23 MDD

Transistor NPN; Bipolar; 40V; 200mW; 6V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C;

MMBT5551 

MMBT5551

Transistor NPN; Bipolar; 300; 160V; 6V; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Ersatz: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; TCMBT5551; CMBT5551;

S8050 

S8050 MDD(MICRODIODE)

Transistor NPN; Bipolar; 400; 25V; 5V; 150MHz; 500mA; 300mW; -55°C~150°C; MOSLEADER S8050-ML; KST8050S;

S8550 

S8550 China

Transistor PNP; Bipolar; 400; -25V; -5V; 150MHz; -500mA; 300mW; -55°C~150°C; MOSLEADER S8550-ML; KST8550S;

S9013  

S9013 (J3)

Transistor NPN; Bipolar; 400; 25V; 5V; 150MHz; 500mA; 300mW; -55°C~150°C; S9013-L-YAN; S9013-H-YAN; MOSLEADER S9013-ML;

SS8050 

SS8050 SOT23

Transistor NPN; Bipolar; 400; 25V; 5V; 100MHz; 1,5A; 300mW; -55°C~150°C; KST8550; MOSLEADER SS8050-ML;

SS8550 

SS8550 SOT-23 MDD(MICRODIODE) MDD

Transistor PNP; Bipolar; 400; -25V; -5V; 100MHz; 1,5A; 300mW; -55°C~150°C; MOSLEADER SS8550-ML; SS8550-D;
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