BSS138 Fairchild ONS

Symbol Micros: TBSS138 FAI
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS138-FAI; BSS138LT3G;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 220mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BSS138 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
340 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2124 0,1010 0,0567 0,0431 0,0386
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Standard-Verpackung:
3000/15000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BSS138 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
999000 stk.
Anzahl Stück 21000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0386
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BSS138 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
31597 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0386
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BSS138 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
19899000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0386
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 220mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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