BSS138LT1G smd
Symbol Micros:
TBSS138LT1G
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 10 Ohm; 200mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS138L; BSS138; BSS138TA; BSS138LT3G; BSS138-YAN; BSS138-TP; BSS138LT7G; BSS138LT1G;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 10Ohm |
| Max. Drainstrom: | 200mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 225mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 50V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2027-05-07
Anzahl Stück: 60000
| Widerstand im offenen Kanal: | 10Ohm |
| Max. Drainstrom: | 200mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 225mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 50V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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