BSS138LT1G smd

Symbol Micros: TBSS138LT1G
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 10 Ohm; 200mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS138L; BSS138; BSS138TA; BSS138LT3G; BSS138-YAN; BSS138-TP; BSS138LT7G; BSS138LT1G;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Max. Drainstrom: 200mA
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BSS138TA Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
9000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0401
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BSS138LT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
1767000 stk.
Anzahl Stück 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0406
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BSS138L Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
15000 stk.
Anzahl Stück 12000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0334
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BSS138LT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
21282000 stk.
Anzahl Stück 15000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0237
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-08-14
Anzahl Stück: 30000
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-07-31
Anzahl Stück: 15000
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Max. Drainstrom: 200mA
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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