BSS138LT1G smd

Symbol Micros: TBSS138LT1G
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 10 Ohm; 200mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS138L; BSS138; BSS138TA; BSS138LT3G; BSS138-YAN; BSS138-TP; BSS138LT7G; BSS138LT1G;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BSS138LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3132 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1681 0,0800 0,0449 0,0341 0,0306
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Standard-Verpackung:
3000/30000
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BSS138LT3G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
4500 stk.
Anzahl Stück 500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0335
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Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BSS138L Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
11695 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0306
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BSS138LT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
19194000 stk.
Anzahl Stück 18000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0306
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-08-14
Anzahl Stück: 30000
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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