BSS138P NXP

Symbol Micros: TBSS138p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 360mA; 420 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS138P,215;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 360mA
Maximaler Leistungsverlust: 420mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BSS138P RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
818 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1392 0,0661 0,0371 0,0282 0,0253
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Standard-Verpackung:
3000/111000
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BSS138P,215 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1392 0,0661 0,0371 0,0282 0,0253
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BSS138P,215 Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
12000 stk.
Anzahl Stück 500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0815
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Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-11-30
Anzahl Stück: 30000
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 360mA
Maximaler Leistungsverlust: 420mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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