BSS138-TP

Symbol Micros: TBSS138-TP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; BSS138-TP-ES;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 220mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: Micro Comercial Components Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Micro Commercial Components Corp. Hersteller-Teilenummer: BSS138-TP RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
14225 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0887 0,0348 0,0204 0,0149 0,0136
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Micro Commercial Components Corp. Hersteller-Teilenummer: BSS138-TP Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
124000 stk.
Anzahl Stück 15000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0136
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 220mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: Micro Comercial Components Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole