BSS138-7-F Diodes

Symbol Micros: TBSS138 DIO
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 50V; 20V; 3,5 Ohm; 200mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS138-TP; BSS138-13-F;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,5Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Msx. Drain-Gate Spannung: 50V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BSS138-7-F RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
11860 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1175 0,0539 0,0294 0,0219 0,0196
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Standard-Verpackung:
3000/18000
Widerstand im offenen Kanal: 3,5Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Msx. Drain-Gate Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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