BSS138-TP

Symbol Micros: TBSS138-TP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; BSS138-TP-ES;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 220mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: Micro Comercial Components Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Micro Commercial Components Corp. Hersteller-Teilenummer: BSS138-TP RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
9850 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0906 0,0356 0,0208 0,0152 0,0139
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-03-31
Anzahl Stück: 15000
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 220mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: Micro Comercial Components Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole