BSS138NH6327XTSA2 Infineon
Symbol Micros:
TBSS138n
109821
TBSS138n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 6Ohm; 230mA; 360 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS138NH6433XTMA1; BSS138NL6327HTSA1; SP000919330;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 6Ohm |
Max. Drainstrom: | 230mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 360mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSS138NH6433XTMA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
260000 stk.
Anzahl Stück | 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0295 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSS138NH6327XTSA2
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
2316000 stk.
Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0288 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSS138NH6327XTSA2
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
17214000 stk.
Anzahl Stück | 15000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0277 |
Widerstand im offenen Kanal: | 6Ohm |
Max. Drainstrom: | 230mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 360mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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