BSS138P NXP

Symbol Micros: TBSS138p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 360mA; 420 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS138P,215;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 360mA
Maximaler Leistungsverlust: 420mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BSS138P,215 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
107717 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3108 0,1651 0,1281 0,1181 0,1132
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BSS138P RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
46298 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3108 0,1651 0,1281 0,1181 0,1132
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000/111000
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 360mA
Maximaler Leistungsverlust: 420mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole