Transistoren (Ergebnisse: 9912)
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Widerstand im offenen Kanal
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Max. Drainstrom
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Maximaler Leistungsverlust
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Gehäuse
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Hersteller
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Verlustleistung
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Stromverstärkungsfaktor
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Grenzfrequenz
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Gate-Ladung
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Maximale Verlustleistung
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Max. Drain-Source Spannung
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Max. Kollektor-Strom [A]
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Max. Kollektor-Emitter-Spannung
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Max. Kollektor-Strom
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Max. Kollektor-Strom im Impuls
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Vorwärtsspannung [Vgeth]
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Transistor-Typ
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Max. Gate-Source Spannung
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Montage
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Kollektor-Emitter-Spannung
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Gate - Emitter Spannung
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Transistorsysteme [J/N]
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ZXTP2008ZQTA
PWR LOW SAT TRANSISTOR SOT89 PWR LOW SAT TRANSISTOR SOT89
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPI90N04S402
Trans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262
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TO262
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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ZXTP25020CFHTA
PNP 4A 20V 1.25W 285MHz PNP 4A 20V 1.25W 285MHz
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SOT23
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285MHz | PNP | ||||||||||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR
IGBT-Transistor; THT; TO247-4; Technologie: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 650V; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 75A; Kollektorstrom im Impuls: 300A; Leistung: 338W
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Rys.TBGH75N65ZF1
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TO247-4 | BASiC SEMICONDUCTOR | 444nC | 338W | 75A | 300A | 4,2V ~ 5,8V | -40°C ~ 150°C | THT | 650V | 20V | |||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BGH75N120HF1 BASiC SEMICONDUCTOR
Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 1,2 kV; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 75A; Kollektorstrom im Impuls: 200A; Leistung: 568W
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Rys.TBGH75N120HF1
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TO247-3 | BASiC SEMICONDUCTOR | 398nC | 568W | 75A | 200A | 4,2V ~ 5,8V | -40°C ~ 150°C | THT | 1200V | 20V | |||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR
Transistor IGBT; THT; TO247-4; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 650V; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 50A; Kollektorstrom im Impuls: 200A; Leistung: 297W
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Rys.TBGH50N65ZF1
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TO247-4 | BASiC SEMICONDUCTOR | 308nC | 297W | 50A | 200A | 4,2V ~ 5,8V | -40°C ~ 150°C | THT | 650V | 20V | |||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR
Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 650V; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 50A; Kollektorstrom im Impuls: 200A; Leistung: 297W
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Rys.TBGH50N65HS1
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TO247-3 | BASiC SEMICONDUCTOR | 308nC | 297W | 50A | 200A | 4,2V ~ 5,8V | -40°C ~ 150°C | THT | 650V | 20V | |||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR
Transistor-IGBT; THT; TO247-3; Technologie: Feldstopp, SiC SBD, Trench Kollektor-Emitter-Spannung: 650 V; Gate-Emitter-Spannung: 20 V; Kollektorstrom: 50 A; gepulster Kollektorstrom: 200 A; Leistung: 297 W
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Rys.TBGH50N65HF1
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TO247-3 | BASiC SEMICONDUCTOR | 308nC | 297W | 50A | 200A | 4,2V ~ 5,8V | -40°C ~ 150°C | THT | 650V | 20V | |||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BGH75N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR
Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 650V; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 75A; Kollektorstrom im Impuls: 300A; Leistung: 405W
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Rys.TBGH75N65HF1
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TO247-4 | BASiC SEMICONDUCTOR | 444nC | 405W | 75A | 300A | 4,2V ~ 5,8V | -40°C ~ 150°C | THT | 650V | 20V | |||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BGH75N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR
IGBT-Transistor; THT; TO247-3; Technologie: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 650V; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 75A; Kollektorstrom im Impuls: 300A; Leistung: 405W
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Rys.TBGH75N65HS1
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TO247-3 | BASiC SEMICONDUCTOR | 444nC | 405W | 75A | 300A | 4,2V ~ 5,8V | -40°C ~ 150°C | THT | 650V | 20V | |||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BC857B BORN
PNP-Transistor; 475; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC857B,215; BC857B,235; BC857BLT1G; BC857BLT3G; BC857BE6327HTSA1; BC857BE6433HTMA1; BC857B RFG; BC857B-7-F; BC857B-TP;
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SOT23
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SOT23 | BORN | 250mW | 475 | 100MHz | 100mA | 45V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-09-30
Anzahl der Stücke: 3000
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TIP42CF TO-220F JSCJ
Transistor PNP; Bipolar; 75; 65W; 100V; 6A; 3MHz; -55°C ~ 150°C;
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TO220FP
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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TO220FP | CJ | 65W | 75 | 3MHz | 6A | 100V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-10-30
Anzahl der Stücke: 100
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