BSS138 GALAXY

Symbol Micros: TBSS138 GAL
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 50V; 20V; 3,5 Ohm; 200mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138RFG;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,5Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: GALAXY
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Msx. Drain-Gate Spannung: 50V
Hersteller: GALAXY Hersteller-Teilenummer: BSS138 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2600 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0980 0,0385 0,0225 0,0165 0,0151
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 3,5Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: GALAXY
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Msx. Drain-Gate Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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