BSS138 GALAXY
Symbol Micros:
TBSS138 GAL
380268
TBSS138 GAL
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 50V; 20V; 3,5 Ohm; 200mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138RFG;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 3,5Ohm |
Max. Drainstrom: | 200mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | GALAXY |
Max. Drain-Source Spannung: | 50V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 50V |
Widerstand im offenen Kanal: | 3,5Ohm |
Max. Drainstrom: | 200mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | GALAXY |
Max. Drain-Source Spannung: | 50V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 50V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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