BSS138-TD TDSEMIC

Symbol Micros: TBSS138 TDS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138RFG;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: TDSEMIC
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: TDSEMIC Hersteller-Teilenummer: BSS138-TD RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
9000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0622 0,0239 0,0117 0,0093 0,0089
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: TDSEMIC
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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