BSS138 UMW

Symbol Micros: TBSS138 UMW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 50V; 20V; 3,5 Ohm; 300mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138RFG;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,5Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Msx. Drain-Gate Spannung: 50V
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: BSS138 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
42340 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0772 0,0297 0,0145 0,0116 0,0110
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000/45000
Widerstand im offenen Kanal: 3,5Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Msx. Drain-Gate Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole