Transistoren (Ergebnisse: 9573)
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Widerstand im offenen Kanal
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Max. Drainstrom
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Maximaler Leistungsverlust
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Gehäuse
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Hersteller
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Verlustleistung
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Stromverstärkungsfaktor
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Grenzfrequenz
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Gate-Ladung
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Max. Drain-Source Spannung
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Maximale Verlustleistung
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Max. Kollektor-Strom [A]
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Max. Kollektor-Emitter-Spannung
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Max. Kollektor-Strom
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Max. Kollektor-Strom im Impuls
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Vorwärtsspannung [Vgeth]
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Transistor-Typ
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Max. Gate-Source Spannung
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Montage
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Kollektor-Emitter-Spannung
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Gate - Emitter Spannung
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Transistorsysteme [J/N]
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MMBT2907A DIOTEC
Transistor GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 Transistor GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SI2305-TP
P-Channel-MOSFET-Transistor; 8V; 8V; 90mOhm; 4.1A; 1,4 W; -55°C~150°C; SI2305-TP-HF;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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90mOhm | 4,1A | 1,4W | SOT23-3 | MCC | 8V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | |||||||||||||||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2027-07-17
Anzahl der Stücke: 3000
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MMBT3904 CJ
NPN-Transistor; 300; 250mW; 40V; 200mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C; Äquivalent: MMBT3904,215; MMBT3904-7-F; MMBT3904LT1G; MMBT3904LT3G; MMBT3904-13-F; MMBT3904-TP; MMBT3904 RFG;
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SOT23 | CJ | 250mW | 300 | 300MHz | 200mA | 40V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SI2306-TP
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 65mOhm; 20A; 620 mW; -55°C~150°C;
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65mOhm | 20A | 620mW | SOT23 | MCC | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G05P06L
P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 17mOhm; 5A; 4,3W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS-T1-E3;
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170mOhm | 5A | 4,3W | SOT23 | GOFORD | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MMBT3904HE3-TP
Bipolar (BJT) Transistor 40 V 200 mA 300MHz 350 mW Surface Mount SOT-23 Bipolar (BJT) Transistor 40 V 200 mA 300MHz 350 mW Surface Mount SOT-23
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SI3134KWA-TP Micro Commercial Co
N-CHANNEL MOSFET,SOT-323 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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AS3401
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 96mOhm; 4,4A; 1,2 W; -55°C~150°C;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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96mOhm | 4,4A | 1,2W | SOT23 | AnBon | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | |||||||||||||||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-09-30
Anzahl der Stücke: 3000
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LGE3415ES
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 ähnlich zu: SI3415B-TP;
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50mOhm | -4A | 1,4W | SOT23 | LGE | -20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 10V | SMD | |||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SI3424CDV-T1-GE3 VISHAY
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin TSOP
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MMBT5401M3T5G
PNP TRANSISTOR 150V PNP TRANSISTOR 150V
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MMBT5551HE3-TP
Transistor GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 Transistor GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MMBT5551Q-7 Diodes Incorporated
SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT23 T SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT23 T
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MMBT8050D(1.5A)
25V 350mW 160@100mA,1V 1.5A NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS 25V 350mW 160@100mA,1V 1.5A NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-09-30
Anzahl der Stücke: 3000
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MMBT8550D(1.5A)
25V 350mW 160@100mA,1V 1.5A PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS 25V 350mW 160@100mA,1V 1.5A PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-09-30
Anzahl der Stücke: 3000
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SI4410DY
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 20mOhm; 10A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
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20mOhm | 10A | 2,5W | SOP08 | International Rectifier | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SI4435BDY
P-MOSFET -9.1A -30V 2.5W 0.02Ohm;
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20mOhm | -9,1A | 2,5W | SOP08 | VISHAY | -30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MMBTA06 China
NPN 500mA 80V 225mW 100MHz NPN 500mA 80V 225mW 100MHz
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MMBTA14 China
Darlington NPN 300mA 30V 300mW 125MHz Darlington NPN 300mA 30V 300mW 125MHz
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MMBTA56 China
PNP -500mA -80V 225mW 50MHz PNP -500mA -80V 225mW 50MHz
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SI4948EY-T1-E3
Tranzystor 2xP-MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 3,1A; 2,4W; -55°C ~ 175°C;
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150mOhm | 3,1A | 2,4W | SOP08 | VISHAY | 60V | 2xP-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SI4963DY VISHAY
2xP-MOSFET 20V 12V ID6,2A veraltet; Äquivalent: SI4963DY-T1-E3
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50mOhm | 4,9A | 1,1W | SOIC08 | VISHAY | 20V | 2xP-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | |||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MMBTA94 DIOTEC
Trans GP BJT PNP 400V 0.3A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R ÄQUIVALENT: MMBTA94-DIO;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SI5618-TP
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE Transistors - FETs, MOSFETs - Single
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200mOhm | 1,9A | 830mW | SOT23 | MCC | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MMBTRC101SS
Transistor : NPN ; Bipolar ; BRT ; 50V ; 100mA ; 200mW ; SOT23 ; R1:4,7k? Transistor : NPN ; Bipolar ; BRT ; 50V ; 100mA ; 200mW ; SOT23 ; R1:4,7k?
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MMPQ2222A
Transistor GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 16-Pin SOIC Transistor GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 16-Pin SOIC
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SOP16 | ON SEMICONDUCTOR | 1W | 300 | 350MHz | 500mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MMSS8550-H-TP
Transistor GP BJT PNP 25V 1.5A 3-Pin SOT-23 Transistor GP BJT PNP 25V 1.5A 3-Pin SOT-23
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SI7818DN-T1-E3 VISHAY
Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 8-Pin PowerPAK 1212 SI7818DN; SI7818DN-T1-GE3;
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142mOhm | 2,2A | 1,5W | PPAK1212 | VISHAY | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MPS2907A TO92(bulk,straight pin) CJ
60V 625mW 100@150mA,10V 600mA PNP TO-92-3 Bipolar (BJT) ROHS ODPOWIEDNIK: MPS2907A(RANGE:200-300);
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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