Transistoren (Ergebnisse: 9573)

1    309  310  311  312  313  314  315  316  317    320
Produkt Warenkorb
Widerstand im offenen Kanal
Max. Drainstrom
Maximaler Leistungsverlust
Gehäuse
Hersteller
Verlustleistung
Stromverstärkungsfaktor
Grenzfrequenz
Gate-Ladung
Max. Drain-Source Spannung
Maximale Verlustleistung
Max. Kollektor-Strom [A]
Max. Kollektor-Emitter-Spannung
Max. Kollektor-Strom
Max. Kollektor-Strom im Impuls
Vorwärtsspannung [Vgeth]
Transistor-Typ
Msx. Drain-Gate Spannung
Betriebstemperatur (Bereich)
Max. Gate-Source Spannung
Montage
Kollektor-Emitter-Spannung
Gate - Emitter Spannung
Transistorsysteme [J/N]
PSMN1R8-40YLC,115 NEXPERIA Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK PSMN1R8-40YLC.115
Micros Symbol: TPSMN1r8-40ylc Infos Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
PSMN1R8-40YLC,115 NEXPERIA LFPAK
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
PSMN2R4-30MLDX Trans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP PSMN2R4-30MLDX PSMN2R4-30MLD115
Micros Symbol: TPSMN2r4-30mld Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
PSMN2R4-30MLDX LFPAK
  3,2mOhm 70A 91W LFPAK33 (SOT1210) NXP 30V N-MOSFET 30V -55°C ~ 175°C 20V SMD
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
PSMN3R7-100BSE NEXPERIA N-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 20V; 10,7 mOhm; 120A; 405 W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TPSMN3r7-100bse Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
PSMN3R7-100BSE NEXPERIA TO263 (D2PAK)
  10,7mOhm 120A 405W TO263 (D2PAK) NXP 100V N-MOSFET 100V -55°C ~ 175°C 20V SMD
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
PSMN4R2-80YSEX PSMN4R2-80YSE/SOT1023/4 LEADS Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Micros Symbol: TPSMN4R2-80YSEX Infos
Datenblatt
Zu favoriten hinzufügen
PSMN4R2-80YSEX LFPAK56 (SOT669)
  4,2mOhm 170A 294W LFPAK56E NXP 80V N-MOSFET 80V -55°C ~ 175°C 20V SMD
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
KSA1220A PNP,200mA,160V,1.2W, 175MHz PNP,200mA,160V,1.2W, 175MHz
Micros Symbol: TKSA1220a Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
KSA1220A TO126
  TO126 ON SEMICONDUCTOR 1,2W 320 175MHz 1,2A 160V PNP -55°C ~ 150°C
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
R6015KNX Rohm Semiconductor N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 290 mOhm; 15A; 60W; -55 °C ~ 150 °C; TO-220-3 Full Pack
Micros Symbol: TR6015knx Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
R6015KNX Rohm Semiconductor TO220FP
  290mOhm 15A 60W TO220FP ROHM 600V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 30V THT
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
KSH122TF NPN 8A 100V 1.75W NPN 8A 100V 1.75W
Micros Symbol: TKSH122tf Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
KSH122TF TO252 (DPACK)
  TO252 (DPACK) Fairchild 1,75W 12000 8A 100V NPN -65°C ~ 150°C
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
RD01MUS2B-T113 N-MOSFET-Transistor; 25V; 10V; 600mA; 3,6 W; -40 °C ~ 125 °C;
Micros Symbol: TRD01mus2 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
RD01MUS2B-T113 SOT89
  600mA 3,6W SOT89 Mitsubishi Electric 25V N-MOSFET -40°C ~ 125°C 10V SMD
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
RFD14N05L N-MOSFET-Transistor; 50V; 50V; 10V; 100 mOhm; 14A; 48W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TRFD14N05l Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
RFD14N05L TO251 (IPACK)
  100mOhm 14A 48W TO251 (IPACK) ON SEMICONDUCTOR 50V N-MOSFET 50V -55°C ~ 175°C 10V THT
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
LGE18N50F LGE Odpowiednik: BXP18N50F; LGE18N50F; YFW13N50AF;
Micros Symbol: TLGE18N50F Infos Zu favoriten hinzufügen
LGE18N50F LGE  
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
LGE2N65D TO252 LGE Odpowiednik: BXP2N65D; LGE2N65D; YFW2N65AD;
Micros Symbol: TLGE2N65D Infos Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
LGE2N65D TO252 LGE TO252
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
LND150K1-G Transistor MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 Transistor MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23
Micros Symbol: TLND150k1-g Infos Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
LND150K1-G SOT23-3
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
LND150N3-G Transistor MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Transistor MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92
Micros Symbol: TLND150n3-g Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
LND150N3-G TO92
  TO92 Supertex 740mW 30mA 500V N-MOSFET -55°C ~ 150°C
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
LP395Z NPN 36V 100mA NPN 36V 100mA
Micros Symbol: TLP395z Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
LP395Z TO92
  TO92 Texas Instruments 100mA 36V NPN -40°C ~ 125°C
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
LPSC2301 20V 2A 110mOhm@4.5V,2A 780mW P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS BSS83P;
Micros Symbol: TLPSC2301 Infos Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
LPSC2301 SOT23
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
M8050 SOT23 0.2W 800mA NPN Bipolar Transistor 0.2W 800mA NPN Bipolar Transistor
Micros Symbol: TM8050 c Infos Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
M8050 SOT23 SOT23
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
MBT3904DW1T1G 40V 200mW 300@10mA,1V 200mA 2 NPN SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS 40V 200mW 300@10mA,1V 200mA 2 NPN SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Micros Symbol: TMBT3904dw1t1g c Infos Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
MBT3904DW1T1G SOT363
                                                   
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                                     
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-07-20
Anzahl der Stücke: 3000
                                               
MJ15023 PNP 16A 200V 250W 4MHz PNP 16A 200V 250W 4MHz
Micros Symbol: TMJ15023 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
MJ15023 TO 3
  TO 3 Inchange Semiconductors 250W 60 4MHz 16A 200V PNP -65°C ~ 200°C
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
MJD122-TP Transistor Darlington NPN 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Transistor Darlington NPN 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
Micros Symbol: TMJD122-tp Infos Zu favoriten hinzufügen
MJD122-TP DPAK
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
RQ3E100BNTB Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 8-PowerVDFN
Micros Symbol: TRQ3e100bntb Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
RQ3E100BNTB Rohm Semiconductor HSMT8 (3.2x3)
  15,3mOhm 10A 15W HSMT8 ROHM 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
MJD127 Transistor: PNP; Bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252 Transistor: PNP; Bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
Micros Symbol: TMJD127 LGE Infos Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
MJD127 TO252 (DPACK)
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
MJD31C CDIL Darl. NPN 3A 100V 1.56W Darl. NPN 3A 100V 1.56W
Micros Symbol: TMJD31c Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
MJD31C CDIL TO252
                                                   
Artikel auf Anfrage erhältlich
TO252 LGE 1,25W 50 3MHz 3A 100V NPN -65°C ~ 150°C
                                                     
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-09-30
Anzahl der Stücke: 500
                                               
RV8C010UNHZGG2CR 3-Pin DFN-W ROHM Trans MOSFET N-CH 20V 1A Automotive 3-Pin DFN-W
Micros Symbol: TRV8C010UNHZGG2CR Infos
Datenblatt
Zu favoriten hinzufügen
RV8C010UNHZGG2CR 3-Pin DFN-W ROHM SOT883
  470mOhm 1A 1W SOT883 ROHM 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
RV8L002SNHZGG2CR DFN1010-3W ROHM N-Channel 60 V 250mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount DFN1010-3W
Micros Symbol: TRV8L002SNHZGG2CR Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
RV8L002SNHZGG2CR DFN1010-3W ROHM DFN1010-3W
  3Ohm 250mA 1W DFN1010-3W ROHM 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
MJD5731T4G ONSEMI Transistor GP BJT PNP 350V 1A Transistor GP BJT PNP 350V 1A
Micros Symbol: TMJD5731 Infos Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
MJD5731T4G ONSEMI TO252 (DPACK)
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
MJE13005 Transistor; bipolar; MJE13005; NPN; 4A; 400V; 60W; 4 MHz; TO220; ST13005; MJE13005; 3DD13005ED-220C; YFW13005AT; MJE13005L-B-TA3-T; 3DD13005ND66; 3DD13005MD-220; MJE13005; MBR13005DA; ST13005;
Micros Symbol: TMJE13005 c Infos Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
MJE13005 TO220
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
YFW13005AT Transistor NPN; Bipolar; 700V; 9V; 35; 4MHz; 4A; 2W; -55°C~150°C; Transistor NPN; Bipolar; 700V; 9V; 35; 4MHz; 4A; 2W; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TMJE13005 YFW Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
YFW13005AT TO220
  TO220 YFW 2W 35 4MHz 4A 700V NPN -55°C ~ 150°C
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
MJE15030G ON Semiconductor NPN 150V 8A 50W 30MHz NPN 150V 8A 50W 30MHz
Micros Symbol: TMJE15030 ons Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
MJE15030G ON Semiconductor TO220AB
  TO220AB ON SEMICONDUCTOR 2W 40 30MHz 8A 150V NPN -65°C ~ 150°C
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
SI1330EDL Trans MOSFET N-CH 60V 0,24A 3-Pin SC-70 Äquivalent: SI1330EDL-T1-E3;
Micros Symbol: TSI1330edl Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SI1330EDL SC70-3
  8Ohm 240mA 280mW SC70-3 VISHAY 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
SI1902DL-T1-E3 2xN-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 630 mOhm; 660mA; 270 mW; -55 °C ~ 150 °C; SI1902DL-T1-GE3; SI1902DL-T1-BE3;
Micros Symbol: TSI1902dl Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SI1902DL-T1-E3 SC70-6
  630mOhm 660mA 270mW SC70-6 VISHAY 20V 2xN-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
1    309  310  311  312  313  314  315  316  317    320