Transistoren (Ergebnisse: 9573)
Produkt | Warenkorb |
Widerstand im offenen Kanal
|
Max. Drainstrom
|
Maximaler Leistungsverlust
|
Gehäuse
|
Hersteller
|
Verlustleistung
|
Stromverstärkungsfaktor
|
Grenzfrequenz
|
Gate-Ladung
|
Max. Drain-Source Spannung
|
Maximale Verlustleistung
|
Max. Kollektor-Strom [A]
|
Max. Kollektor-Emitter-Spannung
|
Max. Kollektor-Strom
|
Max. Kollektor-Strom im Impuls
|
Vorwärtsspannung [Vgeth]
|
Transistor-Typ
|
Msx. Drain-Gate Spannung
|
Betriebstemperatur (Bereich)
|
Max. Gate-Source Spannung
|
Montage
|
Kollektor-Emitter-Spannung
|
Gate - Emitter Spannung
|
Transistorsysteme [J/N]
|
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PSMN1R8-40YLC,115 NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK PSMN1R8-40YLC.115
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
PSMN2R4-30MLDX
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP PSMN2R4-30MLDX PSMN2R4-30MLD115
|
||||||||||||||||||||||||||
3,2mOhm | 70A | 91W | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | 30V | N-MOSFET | 30V | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
PSMN3R7-100BSE NEXPERIA
N-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 20V; 10,7 mOhm; 120A; 405 W; -55 °C ~ 175 °C;
|
||||||||||||||||||||||||||
10,7mOhm | 120A | 405W | TO263 (D2PAK) | NXP | 100V | N-MOSFET | 100V | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
PSMN4R2-80YSEX
PSMN4R2-80YSE/SOT1023/4 LEADS Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
||||||||||||||||||||||||||
4,2mOhm | 170A | 294W | LFPAK56E | NXP | 80V | N-MOSFET | 80V | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
KSA1220A
PNP,200mA,160V,1.2W, 175MHz PNP,200mA,160V,1.2W, 175MHz
|
||||||||||||||||||||||||||
TO126 | ON SEMICONDUCTOR | 1,2W | 320 | 175MHz | 1,2A | 160V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
R6015KNX Rohm Semiconductor
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 290 mOhm; 15A; 60W; -55 °C ~ 150 °C; TO-220-3 Full Pack
|
||||||||||||||||||||||||||
290mOhm | 15A | 60W | TO220FP | ROHM | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | |||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
KSH122TF
NPN 8A 100V 1.75W NPN 8A 100V 1.75W
|
||||||||||||||||||||||||||
TO252 (DPACK) | Fairchild | 1,75W | 12000 | 8A | 100V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
RD01MUS2B-T113
N-MOSFET-Transistor; 25V; 10V; 600mA; 3,6 W; -40 °C ~ 125 °C;
|
||||||||||||||||||||||||||
600mA | 3,6W | SOT89 | Mitsubishi Electric | 25V | N-MOSFET | -40°C ~ 125°C | 10V | SMD | ||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
RFD14N05L
N-MOSFET-Transistor; 50V; 50V; 10V; 100 mOhm; 14A; 48W; -55 °C ~ 175 °C;
|
||||||||||||||||||||||||||
100mOhm | 14A | 48W | TO251 (IPACK) | ON SEMICONDUCTOR | 50V | N-MOSFET | 50V | -55°C ~ 175°C | 10V | THT | ||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
LGE18N50F LGE
Odpowiednik: BXP18N50F; LGE18N50F; YFW13N50AF;
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
LGE2N65D TO252 LGE
Odpowiednik: BXP2N65D; LGE2N65D; YFW2N65AD;
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
LND150K1-G
Transistor MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 Transistor MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
LND150N3-G
Transistor MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Transistor MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92
|
||||||||||||||||||||||||||
TO92 | Supertex | 740mW | 30mA | 500V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
LP395Z
NPN 36V 100mA NPN 36V 100mA
|
||||||||||||||||||||||||||
TO92 | Texas Instruments | 100mA | 36V | NPN | -40°C ~ 125°C | |||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
LPSC2301
20V 2A 110mOhm@4.5V,2A 780mW P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS BSS83P;
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
M8050 SOT23
0.2W 800mA NPN Bipolar Transistor 0.2W 800mA NPN Bipolar Transistor
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
MBT3904DW1T1G
40V 200mW 300@10mA,1V 200mA 2 NPN SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS 40V 200mW 300@10mA,1V 200mA 2 NPN SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-07-20
Anzahl der Stücke: 3000
|
|||||||||||||||||||||||||
MJ15023
PNP 16A 200V 250W 4MHz PNP 16A 200V 250W 4MHz
|
||||||||||||||||||||||||||
TO 3 | Inchange Semiconductors | 250W | 60 | 4MHz | 16A | 200V | PNP | -65°C ~ 200°C | ||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
MJD122-TP
Transistor Darlington NPN 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Transistor Darlington NPN 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
RQ3E100BNTB Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 8-PowerVDFN
|
||||||||||||||||||||||||||
15,3mOhm | 10A | 15W | HSMT8 | ROHM | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
MJD127
Transistor: PNP; Bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252 Transistor: PNP; Bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
MJD31C CDIL
Darl. NPN 3A 100V 1.56W Darl. NPN 3A 100V 1.56W
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
TO252 | LGE | 1,25W | 50 | 3MHz | 3A | 100V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||
|
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-09-30
Anzahl der Stücke: 500
|
|||||||||||||||||||||||||
RV8C010UNHZGG2CR 3-Pin DFN-W ROHM
Trans MOSFET N-CH 20V 1A Automotive 3-Pin DFN-W
|
||||||||||||||||||||||||||
470mOhm | 1A | 1W | SOT883 | ROHM | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | |||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
RV8L002SNHZGG2CR DFN1010-3W ROHM
N-Channel 60 V 250mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount DFN1010-3W
|
||||||||||||||||||||||||||
3Ohm | 250mA | 1W | DFN1010-3W | ROHM | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
MJD5731T4G ONSEMI
Transistor GP BJT PNP 350V 1A Transistor GP BJT PNP 350V 1A
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
MJE13005
Transistor; bipolar; MJE13005; NPN; 4A; 400V; 60W; 4 MHz; TO220; ST13005; MJE13005; 3DD13005ED-220C; YFW13005AT; MJE13005L-B-TA3-T; 3DD13005ND66; 3DD13005MD-220; MJE13005; MBR13005DA; ST13005;
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
YFW13005AT
Transistor NPN; Bipolar; 700V; 9V; 35; 4MHz; 4A; 2W; -55°C~150°C; Transistor NPN; Bipolar; 700V; 9V; 35; 4MHz; 4A; 2W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
TO220 | YFW | 2W | 35 | 4MHz | 4A | 700V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
MJE15030G ON Semiconductor
NPN 150V 8A 50W 30MHz NPN 150V 8A 50W 30MHz
|
||||||||||||||||||||||||||
TO220AB | ON SEMICONDUCTOR | 2W | 40 | 30MHz | 8A | 150V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
SI1330EDL
Trans MOSFET N-CH 60V 0,24A 3-Pin SC-70 Äquivalent: SI1330EDL-T1-E3;
|
||||||||||||||||||||||||||
8Ohm | 240mA | 280mW | SC70-3 | VISHAY | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
SI1902DL-T1-E3
2xN-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 630 mOhm; 660mA; 270 mW; -55 °C ~ 150 °C; SI1902DL-T1-GE3; SI1902DL-T1-BE3;
|
||||||||||||||||||||||||||
630mOhm | 660mA | 270mW | SC70-6 | VISHAY | 20V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | |||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|