BC817-40 Transistor – small but powerful component in your circuit

2025-07-03

BC817-40 ist ein NPN-Bipolartransistor mit geringer Leistung im SOT-23-Gehäuse (SMD), der für allgemeine Anwendungen vorgesehen ist, bei denen Miniaturisierung und Zuverlässigkeit des Schaltkreises wichtig sind. Er wird häufig in der Automatisierung, Unterhaltungselektronik, Treiberschaltungen, Schaltnetzteilen und Mikrocontrollersystemen eingesetzt.

Elektrische Kenndaten:

Parameter Symbol Wert Einheit Hinweise
Transistortyp NPN Bipolartransistor
Kollektor-Basis-Spannung VCBO 50 V Bei IE = 0
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO 45 V Bei IB = 0
Basis-Emitter-Spannung VEBO 5 V Maximalwert
Kollektorstrom IC 500 mA Maximaler Dauerstrom
Verlustleistung Ptot 250 mW Bei Ta = 25 °C

Betriebsverhalten:

Als NPN-Transistor leitet der BC817-40 Strom vom Kollektor zum Emitter, wenn an der Basis eine positive Spannung gegenüber dem Emitter anliegt. Aufgrund seiner hohen Stromverstärkung (hFE) eignet er sich gut zum Verstärken schwacher Steuersignale – auch direkt von Mikrocontrollern.

Anwendungsbeispiele für den BC817-40:

  • Relaissteuerung – Transistor als Logikpuffer zur Lastansteuerung
  • Niederpegelverstärker – z. B. für Audiosignale, analoge Sensoren
  • LED-Ansteuerung – PWM, Dimmen, Schalten
  • Mikrocontrollerschaltungen (Arduino, STM32, ESP usw.) – Ausgangsstufe
  • Generatoren und Oszillatoren – RC- oder Entladekreise

Hinweise zur Schaltungsentwicklung:

  • Basiswiderstand (RB): Für Ansteuerung durch digitale Schaltungen (z. B. 5 V-Mikrocontroller) wird RB = 1 kΩ – 10 kΩ empfohlen, je nach gewünschter Schaltgeschwindigkeit.
  • Kollektorwiderstand (RC): Wird gemäß dem Ohm’schen Gesetz gewählt, abhängig von Versorgungsspannung und Last (z. B. LED, Relais).
  • V<sub>CE</sub> und I<sub>C</sub> nicht überschreiten: Obwohl relativ hohe Grenzwerte erlaubt sind, sollten sie nicht als Betriebswerte verwendet werden – ein Sicherheitsspielraum von 20–30 % ist ratsam.
  • Wärmeableitung und Montage: Das SOT-23-Gehäuse gibt Wärme gut über die Leiterplatte ab. Der Einsatz größerer Kupferflächen (Thermal Pads) verbessert die Wärmeabfuhr erheblich.

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SYMBOL DESCRIPTION

BC817-40

BC817-40,215 NXP - tranzystor bipolarny NPN

Transistor NPN; 600; 250mW; 45V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BC817-40,215; BC817-40 RF; BC817-40,235; BC817-40 RFG; BC817-40.215; BC817-40 SMD NXP;
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