BAV99 SOT23 HXY MOSFET switching diode

BAV99 produkowany przez HUAXUANYANG ELECTRONICS (HXY) to krzemowa podwójna dioda przełączająca w obudowie SOT-23, dedykowana do montażu powierzchniowego (SMD). Układ posiada kod cechowania A7 i jest dostarczany w taśmach po 3000szt. Został zoptymalizowany pod kątem dużej szybkości przełączania, znikomej pojemności pasożytniczej i stabilności termicznej w szerokim zakresie temperatur roboczych.

BAV99 SOT23 HXY MOSFET – specyfikacja techniczna i graniczne wartości robocze

• Maksymalne napięcie wsteczne (VR): 70V
• Ciągły prąd przewodzenia (IF): 200mA
• Szczytowy niepowtarzalny prąd udarowy przewodzenia (IFSM, t=8.3ms): 2.0A
• Maksymalna strata mocy (PD, Ta=25°C): 225mW
• Rezystancja termiczna złącze-otoczenie (RθJA): 556°C/W
• Maksymalna temperatura złącza (Tj): 150°C
• Zakres temperatury przechowywania (TSTG): od -55°C do +150°C
• Obudowa: SOT-23 (montaż SMD)
• Kod cechowania na obudowie (marking code): A7
• Wielkość opakowania taśmowego: 3000szt.

BAV99 SOT23 HXY MOSFET – parametry elektryczne i charakterystyka pracy

• Napięcie przebicia wstecznego (VR przy IR=100µA): minimum 70V
• Maksymalne napięcie przewodzenia VF1 (przy IF=1mA): 0.715V
• Maksymalne napięcie przewodzenia VF2 (przy IF=10mA): 0.855V
• Maksymalne napięcie przewodzenia VF3 (przy IF=50mA): 1V
• Maksymalne napięcie przewodzenia VF4 (przy IF=150mA): 1.25V
• Maksymalny prąd wsteczny (IR przy VR=70V): 2.5µA
• Pojemność międzywyprowadzeniowa (CT przy VR=0V, f=1MHz): maksymalnie 1.5pF
• Czas odzyskiwania sprawności zaporowej (trr przy IF=10mA, IR=10mA, Irr=0.1×IR, RL=100Ω): maksymalnie 6ns

BAV99 SOT23 HXY MOSFET – zastosowanie w obwodach elektronicznych

Dioda BAV99 jest przeznaczona do obwodów wymagających szybkiego przełączania sygnałów małej mocy. Czas odzyskiwania sprawności zaporowej wynoszący maksymalnie 6ns oraz niska pojemność złączowa 1.5pF zapobiegają zniekształceniom zboczy impulsów w torach cyfrowych i liniach w.cz.

Głównym obszarem aplikacji jest ochrona linii wejścia-wyjścia (I/O) mikrokontrolerów i układów scalonych przed szkodliwymi przepięciami (clamping). Szeregowa konfiguracja diod umożliwia odprowadzanie ładunku do szyn zasilania lub masy przy wystąpieniu szpilek napięciowych na liniach sygnałowych.

Komponent sprawdza się w detektorach sygnałów, układach formowania impulsów, szybkich bramkach logicznych oraz zabezpieczeniach przed odwróceniem biegunowości przy prądach do 200mA. Niski prąd upływu wstecznego 2.5µA przy napięciu 70V umożliwia stabilną pracę w energooszczędnych urządzeniach bateryjnych.

BAV99 SOT23 HXY MOSFET – charakterystyka termiczna i wymiary obudowy

W układach z diodą BAV99 należy uwzględnić parametry cieplne obudowy SOT-23. Dopuszczalna strata mocy wynosi 225mW do temperatury 25°C, a powyżej niej podlega redukcji (derating) do 0mW przy 150°C. Rezystancja termiczna złącze-otoczenie wynosi 556°C/W, co wymaga odpowiedniego odprowadzania ciepła przez miedź na płytce PCB.

Obudowa SOT-23 charakteryzuje się wymiarami od 2.8mm do 3.0mm długości, od 1.2mm do 1.4mm szerokości korpusu oraz wysokością od 0.9mm do 1.15mm. Zalecana geometria pól lutowniczych (pad layout) obejmuje pola 0.6mm na 0.8mm w rozstawie 1.9mm i 2.02mm. Dioda jest przystosowana do montażu SMT i lutowania rozpływowego.