FOD817B3S

Micros part number: OOPC817b3s FAI
Package: PDIP04smd
Single-Ch CTR 130-260% Vce 70V Uiso 5,0kV NPN Phototr. DIN EN/IEC60747-5-5 opt. FOD817B3SD
Parameters
CTR: 130-260%
Obudowa: PDIP04smd
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 5000V
Napięcie wyjściowe: 70V
CTR: 130-260%
Obudowa: PDIP04smd
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 5000V
Napięcie wyjściowe: 70V