MOC3062M

Symbol Micros: ORMOC3062
Contractor Symbol:
Case : PDIP06
Ift= 10mA; Vdrm= 600V; Ifo= 60mA; Uiso=7500V; Zero-cross c20V Replacement: TLP3062;
Parameters
Output current [A]: 10mA
Case: PDIP06
Input current: 60mA
Power-off voltage: 600V
Insulation breakdown voltage: 7500V
Manufacturer:: ON-Semiconductor Manufacturer part number: MOC3062M RoHS Case style: PDIP06  
In stock:
2870 pcs.
Quantity of pcs. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Net price (EUR) 0,6141 0,3893 0,3059 0,2781 0,2665
Add to comparison tool
Packaging:
50/1000
Manufacturer:: ON-Semiconductor Manufacturer part number: MOC3062M Case style: PDIP06  
External warehouse:
2600 pcs.
Quantity of pcs. 25+ (Please wait for the order confirmation)
Net price (EUR) 0,3346
Add to comparison tool
Packaging:
25
Delivery within 4-7 business days.
Minimum order amount
must exceed 40 Euro.
Manufacturer:: ON-Semiconductor Manufacturer part number: MOC3062M Case style: PDIP06  
External warehouse:
47225 pcs.
Quantity of pcs. 1000+ (Please wait for the order confirmation)
Net price (EUR) 0,2665
Add to comparison tool
Packaging:
1000
Delivery within 4-7 business days.
Minimum order amount
must exceed 40 Euro.
Output current [A]: 10mA
Case: PDIP06
Input current: 60mA
Power-off voltage: 600V
Insulation breakdown voltage: 7500V
Detailed description

MOC3062M – Charakterystyka ogólna i architektura układu

Układ scalony MOC3062M to optoizolator z wyjściem typu triakowego, wyposażony w zintegrowany detektor przejścia przez zero (Zero Voltage Crossing). Architektura wewnętrzna tego komponentu opiera się na diodzie elektroluminescencyjnej (LED) emitującej promieniowanie podczerwone, która została wykonana w technologii arsenku galu (GaAs). Dioda nadawcza jest sprzężona optycznie z monolitycznym krzemowym detektorem, pełniącym funkcję dwukierunkowego sterownika dla zewnętrznego triaka mocy. Głównym zadaniem optoizolatora jest zapewnienie fizycznej i bezpiecznej separacji galwanicznej pomiędzy niskonapięciowymi obwodami logiki sterującej a obwodami wykonawczymi zasilanymi z sieci elektroenergetycznej prądu przemiennego o napięciach 115Vac oraz 240Vac. Implementacja obwodu detekcji zera napięcia sprawia, że załączenie podłączonego elementu wykonawczego następuje wyłącznie w momencie, gdy napięcie sieciowe osiąga wartość bliską 0V. Mechanizm ten pozwala na redukcję emisji zakłóceń elektromagnetycznych (EMI) do sieci zasilającej oraz ogranicza początkowe udary prądowe w obwodzie, co ma decydujący wpływ na stabilność urządzeń przełączających. Układ wyróżnia się wysoką odpornością na statyczną stromość narastania napięcia (dv/dt), wynoszącą typowo 1500V/µs, przy czym producent gwarantuje zachowanie parametru na minimalnym poziomie 600V/µs.

MOC3062M – Specyfikacja techniczna i parametry elektryczne

Poniższa lista przedstawia zestawienie maksymalnych dopuszczalnych parametrów roboczych oraz typowych charakterystyk elektrycznych dla modelu MOC3062M:

  • Szczytowe napięcie blokowania w stanie wyłączenia (VDRM): 600V
  • Gwarantowany maksymalny prąd wyzwalania diody LED (IFT) niezbędny do załączenia wyjścia: 10mA
  • Znamionowe napięcie izolacji udarowej (VISO): 7500Vac dla czasu trwania 1s
  • Statyczna odporność na stromość narastania napięcia (dv/dt): typowo 1500V/µs (gwarantowane 600V/µs)
  • Dopuszczalny ciągły prąd przewodzenia dla emitera podczerwieni (IF): 60mA
  • Maksymalne napięcie wsteczne diody LED (VR): 6V
  • Całkowite maksymalne straty mocy dla sekcji diody nadawczej (PD): 120mW (w temperaturze 25°C)
  • Szczytowy powtarzalny prąd udarowy triaka (ITSM) mierzony dla szerokości impulsu 100µs oraz częstotliwości 120pps: 1A
  • Napięcie przewodzenia diody LED (VF) mierzone przy prądzie 30mA: od 1.3V do 1.5V
  • Szczytowe napięcie detektora w stanie włączenia (VTM) przy prądzie 100mA: od 1.8V do 3V
  • Napięcie wstrzymywania (Inhibit Voltage, VINH), powyżej którego urządzenie nie ulegnie wyzwoleniu: typowo 5V, maksymalnie 20V
  • Prąd podtrzymania (IH) działający w obu kierunkach: 250µA
  • Maksymalny prąd upływu w stanie wstrzymania (IDRM2): 500µA
  • Całkowite straty mocy dla całego podzespołu w typowych warunkach pracy: 250mW
  • Zakres dopuszczalnych temperatur otoczenia podczas pracy ciągłej (TA): od -40°C do 85°C
  • Zakres dopuszczalnych temperatur dla samego złącza półprzewodnikowego (TJ): od -40°C do 100°C
  • Obudowa: standardowy format DIP6 kompatybilny z procesami montażu przewlekanego (THD) oraz dostępny w wariantach formowanych do montażu powierzchniowego (SMD)

MOC3062M – Zastosowanie w układach elektronicznych i automatyce

Optoizolator MOC3062M jest elementem szeroko wykorzystywanym przy projektowaniu interfejsów oddzielających cyfrowe systemy mikroprocesorowe od wysokonapięciowych układów wykonawczych pracujących przy napięciach 115Vac i 240Vac. Z uwagi na wbudowaną funkcję Zero Voltage Crossing, układ stanowi podstawowy komponent do budowy półprzewodnikowych przekaźników mocy (Solid State Relays). Przekaźniki SSR wykorzystujące ten element cechują się zdolnością do bezstykowego przełączania dużych prądów bez generowania iskrzenia oraz łuków elektrycznych. W automatyce przemysłowej układ stosuje się w sterownikach silników prądu przemiennego (AC Motor Drives) oraz układach rozruchowych (AC Motor Starters), gdzie przełączanie napięcia fazowego blisko punktu zera skutecznie chroni izolację uzwojeń przed szybkimi impulsami wysokonapięciowymi.

Podzespół ten aplikuje się również w układach regulacji temperatury, termostatach przemysłowych oraz w kontrolerach systemów oświetleniowych, co pozwala na precyzyjne dawkowanie energii do elementów grzejnych i lamp. MOC3062M nadaje się do wysterowania elektrozaworów (Solenoid/Valve Controls) oraz styczników elektromagnetycznych (E.M. Contactors). Wysoka tolerancja na szybkie zmiany napięcia w czasie pozwala na bezpieczną pracę układu w otoczeniu obciążeń o dużej indukcyjności, zabezpieczając tym samym mikrokontrolery sterujące przed przebiciami i przepięciami komutacyjnymi. Implementacja tego drivera triakowego w obwodzie drukowanym bezpośrednio upraszcza topologię systemu, zmniejsza ilość zewnętrznych elementów biernych i pozwala na osiągnięcie pełnej zgodności z wymogami kompatybilności elektromagnetycznej.