FM25256-G

Pamięć FRAM FM25256-G zbudowana jest z materiału ferroelektrycznego o nazwie PZT (związek ołowiu, cyrkonu i tytanu), którego cechuje możliwość zapamiętania jednego z dwóch kierunków pola elektrycznego. Do zapamiętania informacji wykorzystuje się efekt ferroelektryczny - pod wpływem działania pola elektrycznego następuje trwała zmiana polaryzacji cząstek. Nieobecność pola elektrycznego nie powoduje zmiany polaryzacji. Komórkę pamięci można sobie wyobrazić jako kondensator z materiałem ferroelektrycznym jako dielektrykiem, ładowany na przemian napięciem o przeciwnej polaryzacji. Poprzez zmianę polaryzacji ładunków w takim kondensatorze można zapamiętać dwa stabilne stany odpowiadające stanom logicznym „0” i „1

Wybrane właściwości:

- pojemność: 256Kbit;
- organizacja: 8-bitowa;
- dostęp szeregowy: interfejs 2-Wire/SPI;
- częstotliwość zegara interfejsu: 15MHz;
- trwałość danych: min. 10 lat;
- brak oczekiwania na operację typu zapis/odczyt (NoDelay™ Writes);
- pobór prądu:
          w stanie aktywnym: max. 5mA @ 15MHz
          w trybie standby: max. 150µA
- kompatybilność z pamięciami EEPROM;
- napięcie zasilania: 4.0÷5.5V;
- temperatura pracy: -40÷85°C;
- dostępne w obudowie: SOP08.

Pamięci ferroelektryczne FRAM nazywane są nieulotnymi pamięciami RAM. Łączą w sobie zalety pamięci o dostępie swobodnym RAM oraz pamięci tylko czytanych ROM. Charakteryzują się możliwością szybkiego odczytu i zapisu, praktycznie nieograniczoną ilością cykli zapis/kasowanie a jednocześnie nieulotnością danych - wyłączenie napięć zasilających nie powoduje utraty zapamiętanej informacji. Pamięci FRAM stosowane są tam, gdzie wymagana jest duża szybkość pracy, niski pobór prądu oraz bezpieczeństwo danych.