628512/10-5V SOJ36

Micros part number: PS4096/8/010 smd5
Package: SOJ36
Fast Asynchronous SRAM, 4Mbit (512k x 8bit), 10ns, 5V, -40÷85°C K6R4008C1D-KI10, AS7C4096A-10JIN, CY7C1049D-10VXI, IS61C5128AL-10KLI
  Pozycja dostępna na zamówienie Ask about product
Detailed description

K6R4008C1D-KI10 - pamięć SRAM wykonana  w technologii CMOS. Informacja jest wprowadzana do pamięci i wydawana z niej w sposób asynchroniczny w postaci słów 8-bitowych. Wybór trybu pracy pamięci odbywa się za pomocą sygnałów: Chip Select (~CS, uaktywnienie pamięci), Write Enable (~WE, uaktywnienie zapisu), Output Enable (~OE, uaktywnienie odczytu).

Wybrane właściwości:
- pojemność: 4Mbit;
- organizacja: 8-bit;
- czas dostępu: 10ns;
- wyjścia / wejścia kompatybilne z TTL;
- trójstanowe wyjścia – możliwość łączenia ze sobą wielu kostek pamięci;
- pobór prądu:
     tryb pracy aktywnej: 75mA max;
     tryb standby: 20mA max (TTL), 5mA max (CMOS);
- napięcie zasilania: 5V;
- temperatura pracy: -40÷85°C;

Pamięć ta  znajduje zastosowanie tam, gdzie wymagana jest duża gęstość zapisu danych oraz duża szybkość przetwarzania.