2N5886

Micros part number: T2N5886
Package: TO 3
NPN 25A 80V 200W 4MHz
Parameters
Prąd drenu: 25A
Moc (W): 200W
Obudowa: TO 3
Napięcie dren-źródło [Uds]: 80V
Producent: Inchange Semiconductors
Typ tranzystora: NPN
Temperatura pracy zakres: -65°C ~ 200°C
Manufacturer:: INCHANGE SEMICONDUCTORS Co.Ltd Manufacturer part number: 2N5886G RoHS Package: TO 3 In stock: 120 pcs.
Quantity 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Net price (PLN) 10,3700 8,4900 7,4000 6,7300 6,4800
Add to comparison tool
Standard packaging:
50/200
Prąd drenu: 25A
Moc (W): 200W
Obudowa: TO 3
Napięcie dren-źródło [Uds]: 80V
Producent: Inchange Semiconductors
Typ tranzystora: NPN
Temperatura pracy zakres: -65°C ~ 200°C
Montaż: THT
Polaryzacja: bipolarny