2SK1119

Micros part number: T2SK1119
Package: TO220
N-MOSFET 4A 1000V 100W 1.2Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 3,8Ohm
Maksymalny prąd drenu: 4A
Maksymalna tracona moc: 100W
Obudowa: TO220
Maksymalne napięcie dren-źródło: 1000V
Producent: Toshiba
Maksymalne napięcie dren-bramka: 1000V
Manufacturer:: Toshiba Manufacturer part number: 2SK1119 RoHS Package: TO220   In stock: 1 pcs.
Quantity 1+ 2+ 4+ 16+ 32+
Net price (PLN) 9,5800 8,2400 7,3200 6,2800 5,9900
Add to comparison tool
Standard packaging:
32
Rezystancja otwartego kanału: 3,8Ohm
Maksymalny prąd drenu: 4A
Maksymalna tracona moc: 100W
Obudowa: TO220
Maksymalne napięcie dren-źródło: 1000V
Producent: Toshiba
Maksymalne napięcie dren-bramka: 1000V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT