2SK1119
Micros part number: T2SK1119
Package: TO220
N-MOSFET 4A 1000V 100W 1.2Ω
Parameters
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,8Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4A |
| Maksymalna tracona moc: | 100W |
| Obudowa: | TO220 |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1000V |
| Producent: | Toshiba |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 1000V |
Manufacturer:: Toshiba
Manufacturer part number: 2SK1119 RoHS
Package: TO220
In stock: 1 pcs.
| Quantity | 1+ | 2+ | 4+ | 16+ | 32+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Net price (PLN) | 9,5800 | 8,2400 | 7,3200 | 6,2800 | 5,9900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,8Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4A |
| Maksymalna tracona moc: | 100W |
| Obudowa: | TO220 |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1000V |
| Producent: | Toshiba |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 1000V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |
