2SK4013

Micros part number: T2SK4013
Package: TO220iso
N-MOSFET 6A 800V 45W 1.7Ω 2SK4013(STA4,Q,M)
Parameters
Rezystancja otwartego kanału (rDS): 1,7Ohm
Maksymalny prąd drenu [A]: 6A
Maksymalna tracona moc [W]: 45W
Obudowa: TO220iso
Producent: Toshiba
Maksymalne Napięcie dren-źródło (Vds): 800V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: Toshiba Manufacturer part number: 2SK4013 RoHS Package: TO220iso In stock: 30 pcs.
Quantity 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Net price (PLN) 5,4900 4,1900 3,4700 3,0400 2,8900
Add to comparison tool

Standard packaging:
50
Rezystancja otwartego kanału (rDS): 1,7Ohm
Maksymalny prąd drenu [A]: 6A
Maksymalna tracona moc [W]: 45W
Obudowa: TO220iso
Producent: Toshiba
Maksymalne Napięcie dren-źródło (Vds): 800V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie dren-bramka (Vdgr): 800V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Maksymalne napięcie bramka-źródło (Vgs): 30V
Montaż: THT