AOD2N60

Micros part number: TAOD2n60
Package: TO252 (DPACK)
N-MOSFET 2A 600V 56.8W 4.4Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału (rDS): 4,4Ohm
Maksymalny prąd drenu [A]: 2A
Maksymalna tracona moc [W]: 56,8W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne Napięcie dren-źródło (Vds): 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: ALPHA&OMEGA Manufacturer part number: AOD2N60 RoHS Package: TO252 (DPACK) In stock: 100 pcs.
Quantity 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Net price (PLN) 1,5300 0,8450 0,6640 0,6150 0,5900
Add to comparison tool
Standard packaging:
100
Rezystancja otwartego kanału (rDS): 4,4Ohm
Maksymalny prąd drenu [A]: 2A
Maksymalna tracona moc [W]: 56,8W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne Napięcie dren-źródło (Vds): 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -50°C ~ 150°C
Maksymalne napięcie bramka-źródło (Vgs): 30V
Montaż: SMD