AP2301GN-HF ADVANCED POWER

Micros part number: TAP2301gn-hf-3
Package: SOT23
P-MOSFET 20V 2.6A 1.38W Replacement for : AP2301AGN
Parameters
Rezystancja drenu (Rds on): 0,13 Ohm
Prąd drenu: 2,6A
Moc (W): 1,38W
Obudowa: SOT23
Napięcie dren-źródło [Uds]: 20V
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Typ tranzystora: P-MOSFET
Manufacturer:: Advanced Power Electronics Corp. Manufacturer part number: AP2301GN Pbf N1P3 Package: SOT23t/r In stock: 2660 pcs.
Quantity 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Net price (PLN) 1,2300 0,6780 0,4500 0,3760 0,3500
Add to comparison tool
Standard packaging:
3000
Rezystancja drenu (Rds on): 0,13 Ohm
Prąd drenu: 2,6A
Moc (W): 1,38W
Obudowa: SOT23
Napięcie dren-źródło [Uds]: 20V
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Typ tranzystora: P-MOSFET
Temperatura pracy zakres: -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD
Polaryzacja: unipolarny