AP2304AGN-HF ADVANCED POWER

Micros part number: TAP2304agn-hf-3
Package: SOT23
N-MOSFET 30V 117mΩ 2.5A 1.38W
Parameters
Rezystancja drenu (Rds on): 0,117 Ohm
Prąd drenu: 2,5A
Moc (W): 1,38W
Obudowa: SOT23
Napięcie dren-źródło [Uds]: 30V
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: Advanced Power Electronics Corp. Manufacturer part number: AP2304AGN-HF-3 RoHS Package: SOT23t/r In stock: 110 pcs.
Quantity 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Net price (PLN) 1,1600 0,7370 0,5170 0,4490 0,4200
Add to comparison tool
Standard packaging:
200
Rezystancja drenu (Rds on): 0,117 Ohm
Prąd drenu: 2,5A
Moc (W): 1,38W
Obudowa: SOT23
Napięcie dren-źródło [Uds]: 30V
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy zakres: -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD
Polaryzacja: unipolarny