AP2307GN-HF-3 ADVANCED POWER

Micros part number: TAP2307gn-hf-3
Package: SOT23
P-MOSFET 16V 4A 1.38W
Parameters
Rezystancja drenu (Rds on): 0,06 Ohm
Prąd drenu: 4A
Moc (W): 1,38W
Obudowa: SOT23
Napięcie dren-źródło [Uds]: 16V
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Typ tranzystora: P-MOSFET
Manufacturer:: Advanced Power Electronics Corp. Manufacturer part number: AP2307GN-HF-3 RoHS Package: SOT23t/r In stock: 4870 pcs.
Quantity 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Net price (PLN) 0,9860 0,5000 0,3030 0,2400 0,2190
Add to comparison tool
Standard packaging:
3000
Rezystancja drenu (Rds on): 0,06 Ohm
Prąd drenu: 4A
Moc (W): 1,38W
Obudowa: SOT23
Napięcie dren-źródło [Uds]: 16V
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Typ tranzystora: P-MOSFET
Temperatura pracy zakres: -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD
Polaryzacja: unipolarny