AP2309GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Micros part number: TAP2309gn-hf-3
Package: SOT23
P-MOSFET 3.7A 30V 1.38W 0.075Ω AP2309GN AP2309GN-HF AP2309GN-HF-3
Parameters
Rezystancja drenu (Rds on): 75 mOhm
Prąd drenu: 3,7A
Moc (W): 1,38W
Obudowa: SOT23
Napięcie dren-źródło [Uds]: 30V
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Typ tranzystora: P-MOSFET
Manufacturer:: Advanced Power Electronics Corp. Manufacturer part number: AP2309GN-HF-3 Pbf NB.. Package: SOT23t/r In stock: 500 pcs.
Quantity 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Net price (PLN) 1,1600 0,6370 0,4220 0,3510 0,3300
Add to comparison tool
Standard packaging:
500
Rezystancja drenu (Rds on): 75 mOhm
Prąd drenu: 3,7A
Moc (W): 1,38W
Obudowa: SOT23
Napięcie dren-źródło [Uds]: 30V
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Typ tranzystora: P-MOSFET
Temperatura pracy zakres: -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD
Polaryzacja: unipolarny