AP2313GN-HF ADVANCED POWER

Micros part number: TAP2313gn-hf-3
Package: SOT23
P-MOSFET 20V 2.5A 0.83W
Parameters
Rezystancja drenu (Rds on): 0,16 Ohm
Prąd drenu: 2,5A
Moc (W): 830mW
Obudowa: SOT23
Napięcie dren-źródło [Uds]: 20V
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Typ tranzystora: P-MOSFET
Manufacturer:: Advanced Power Electronics Corp. Manufacturer part number: AP2313GN-HF-3 RoHS Package: SOT23t/r In stock: 20 pcs.
Quantity 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Net price (PLN) 1,1000 0,5820 0,4510 0,4170 0,3990
Add to comparison tool
Standard packaging:
100
Rezystancja drenu (Rds on): 0,16 Ohm
Prąd drenu: 2,5A
Moc (W): 830mW
Obudowa: SOT23
Napięcie dren-źródło [Uds]: 20V
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Typ tranzystora: P-MOSFET
Temperatura pracy zakres: -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD
Polaryzacja: unipolarny