AP2319GN-HF-3 ADVANCED POWER

Micros part number: TAP2319gn-hf-3
Package: SOT23
P-MOSFET 30V 3.1A 1.38W
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 150mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,1A
Maksymalna tracona moc: 1,38W
Obudowa: SOT23
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Manufacturer:: Advanced Power Electronics Corp. Manufacturer part number: AP2319GN-HF-3 RoHS Package: SOT23t/r   In stock: 900 pcs.
Quantity 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Net price (PLN) 1,0900 0,5960 0,3910 0,3370 0,3110
Add to comparison tool
Standard packaging:
1000
Rezystancja otwartego kanału: 150mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,1A
Maksymalna tracona moc: 1,38W
Obudowa: SOT23
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Montaż: SMD