AP2530GY-HF ADVANCED POWER

Micros part number: TAP2530gy-hf
Package: SOT26
N/P-MOSFET 30V 3.3A 1.14W
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 280mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,3A
Maksymalna tracona moc: 1,14W
Obudowa: SOT26
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N/P-MOSFET
Manufacturer:: Advanced Power Electronics Corp. Manufacturer part number: AP2530GY-HF RoHS Package: SOT26 t/r   In stock: 200 pcs.
Quantity 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Net price (PLN) 1,3800 0,9030 0,6470 0,5650 0,5300
Add to comparison tool
Standard packaging:
200
Rezystancja otwartego kanału: 280mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,3A
Maksymalna tracona moc: 1,14W
Obudowa: SOT26
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N/P-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Montaż: SMD