AP4435GM-HF ADVANCED POWER

Micros part number: TAP4435gm-hf-3
Package: SO 8
P-MOSFET 30V 9A 2.5W
Parameters
Rezystancja drenu (Rds on): 0,02 Ohm
Prąd drenu: 9A
Moc (W): 2,5W
Obudowa: SO 8
Napięcie dren-źródło [Uds]: 30V
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Typ tranzystora: P-MOSFET
Manufacturer:: Advanced Power Electronics Corp. Manufacturer part number: AP4435GM RoHS Package: SOP08t/r In stock: 200 pcs.
Quantity 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Net price (PLN) 1,6300 1,0600 0,7630 0,6670 0,6250
Add to comparison tool
Standard packaging:
200
Manufacturer:: Advanced Power Electronics Corp. Manufacturer part number: AP4435GM RoHS Package: SO 8 In stock: 30 pcs.
Quantity 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Net price (PLN) 1,6300 0,8950 0,7040 0,6520 0,6250
Add to comparison tool
Standard packaging:
100
Rezystancja drenu (Rds on): 0,02 Ohm
Prąd drenu: 9A
Moc (W): 2,5W
Obudowa: SO 8
Napięcie dren-źródło [Uds]: 30V
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Typ tranzystora: P-MOSFET
Temperatura pracy zakres: -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD
Polaryzacja: unipolarny