AP9567GH-HF-3 ADVANCED POWER

Micros part number: TAP9567gh-hf-3
Package: TO252
P-MOSFET 40V 22A 34.7W
Parameters
Rezystancja drenu (Rds on): 0,05 Ohm
Prąd drenu: 22A
Moc (W): 34,7W
Obudowa: TO252
Napięcie dren-źródło [Uds]: 40V
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Typ tranzystora: P-MOSFET
Manufacturer:: Advanced Power Electronics Corp. Manufacturer part number: AP9567GH RoHS Package: TO252t/r In stock: 500 pcs.
Quantity 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Net price (PLN) 1,6400 0,9080 0,7170 0,6510 0,6300
Add to comparison tool
Standard packaging:
500
Rezystancja drenu (Rds on): 0,05 Ohm
Prąd drenu: 22A
Moc (W): 34,7W
Obudowa: TO252
Napięcie dren-źródło [Uds]: 40V
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Typ tranzystora: P-MOSFET
Temperatura pracy zakres: -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD
Polaryzacja: unipolarny