BC847BPN
Micros part number: TBC847bpn
Package: SOT363
BC Series 45 V 100 mA NPN/PNP Silicon Dual General Purpose Transistor BC847BPDW1T1G
Parameters
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Obudowa: | SOT363 |
| Moc strat (PD): | 400mW |
| Producent: | NXP |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Maksymalny prąd kolektora (Ic): | 100mA |
Manufacturer:: NXP
Manufacturer part number: BC847BPN,115 RoHS
Package: SOT363 t/r
In stock: 3000 pcs.
| Quantity | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Net price (PLN) | 0,5430 | 0,2490 | 0,1360 | 0,1010 | 0,0905 |
Manufacturer:: NXP
Manufacturer part number: BC847BPN RoHS
Package: SOT363 t/r
In stock: 690 pcs.
| Quantity | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Net price (PLN) | 0,4770 | 0,2190 | 0,1190 | 0,0891 | 0,0795 |
Manufacturer:: ON-Semicoductor
Manufacturer part number: BC847BPDW1T1G RoHS
Package: SOT363 t/r
In stock: 70 pcs.
| Quantity | 5+ | 20+ | 100+ | 200+ | 860+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Net price (PLN) | 0,4770 | 0,2150 | 0,1140 | 0,0967 | 0,0795 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Obudowa: | SOT363 |
| Moc strat (PD): | 400mW |
| Producent: | NXP |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Maksymalny prąd kolektora (Ic): | 100mA |
| Temperatura pracy zakres: | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN/PNP |
