BC847BPN

Micros part number: TBC847bpn
Package: SOT363
BC Series 45 V 100 mA NPN/PNP Silicon Dual General Purpose Transistor BC847BPDW1T1G
Parameters
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Obudowa: SOT363
Moc strat (PD): 400mW
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Maksymalny prąd kolektora (Ic): 100mA
Manufacturer:: NXP Manufacturer part number: BC847BPN,115 RoHS Package: SOT363 t/r In stock: 3000 pcs.
Quantity 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Net price (PLN) 0,5430 0,2490 0,1360 0,1010 0,0905
Add to comparison tool
Standard packaging:
3000
Manufacturer:: NXP Manufacturer part number: BC847BPN RoHS Package: SOT363 t/r In stock: 690 pcs.
Quantity 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Net price (PLN) 0,4770 0,2190 0,1190 0,0891 0,0795
Add to comparison tool
Standard packaging:
3000
Manufacturer:: ON-Semicoductor Manufacturer part number: BC847BPDW1T1G RoHS Package: SOT363 t/r In stock: 70 pcs.
Quantity 5+ 20+ 100+ 200+ 860+
Net price (PLN) 0,4770 0,2150 0,1140 0,0967 0,0795
Add to comparison tool
Standard packaging:
860
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Obudowa: SOT363
Moc strat (PD): 400mW
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Maksymalny prąd kolektora (Ic): 100mA
Temperatura pracy zakres: -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN/PNP